Retention (NVRAM)

Retention ist ein Begriff aus der Mikroelektronik, speziell der Technologie von NVRAMs, also nichtflüchtiger Speicher. Es handelt sich um eine minimal vom Hersteller des Speichers garantierte Zeit, in der eine einmal eingespeicherte Information fehlerfrei bleibt, das heißt keine Datenverluste auftreten. Typische Werte reichen bis zu 20 Jahren, wobei allerdings zusätzliche Bedingungen (Zeit des Bausteins unter Betriebsbedingungen, Temperaturprofile während des Betriebs und der Lagerung) genannt werden können. Teilweise werden zur Erreichung solcher Retention-Werte auch Fehlerkorrekturverfahren eingesetzt.

Der technische Grund für diese Einschränkung der Funktion eines NVRAM liegt bei den heute üblicherweise eingesetzten Flash-Speichern in der spontanen (das heißt höchstens statistisch erfassbaren) Abwanderung von Elektronen aus dem zentralen speichernden Funktionsteil der Speicherzelle, dem Floating Gate. Zur Verbesserung des Verhaltens kann in der Regel – außer der Optimierung des Herstellungsverfahrens (siehe Halbleitertechnologie) – nur eine bestimmte Isolationsschicht in der Speicherzellstruktur dicker ausgeführt werden, was zu Problemen mit einer zweiten Kenngröße eines NVRAM, der Endurance führen kann.