- Gallium(III)-phosphid
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Kristallstruktur 
__ Ga3+ __ P3− Allgemeines Name Galliumphosphid Andere Namen Gallium(III)-phosphid
Verhältnisformel GaP CAS-Nummer 12063-98-8 Kurzbeschreibung geruchlose orange Kristalle Eigenschaften Molare Masse 100,7 g/mol Aggregatzustand fest
Dichte 4,1 g/cm3[1]
Schmelzpunkt 1348 °C[1]
Löslichkeit unlöslich in Wasser
Sicherheitshinweise Gefahrstoffkennzeichnung [1] 
Reizend (Xi) R- und S-Sätze R: 36/37/38 S: 25-37 WGK 2[2] Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. Galliumphosphid ist eine binäre Halbleiterverbindung aus Gallium und Phosphor. Es wird seit den 1960er Jahren als Material für rote, orange und grüne Leuchtdioden verwendet. Schwefel oder Tellur werden zur Dotierung benutzt um Galliumphosphid in einen n-Typ Halbleiter, Zink um es in einen p-Typ Halbleiter zu verwandeln. Reine GaP LEDs emittieren grünes Licht mit einer Wellenlänge von 555 nm. Stickstoff-dotiertes GaP emittieren gelb-grün (565 nm), Zinkoxid dotiertes GaP leuchtet rot (700 nm).
Inhaltsverzeichnis
Gewinnung und Darstellung
GaP Einkristalle werden in einem modifizierten Czochralski-Prozess (flüssigkeitsgekapselter Czochralski Prozess) gewonnen, da sich GaP zunehmend ab 900 °C zersetzt, was durch einen Mantel aus geschmolzenem Bortrioxid und einem Überdruck von 10-100 Bar verhindert wird.
Eigenschaften
Physikalische Eigenschaften
Galliumphosphid hat eine Zinkblendestruktur, eine Bandlücke von 2,25 eV und eine Gitterkonstante von 0,545 nm. Seine Elektronenmobilität ist 110 cm²/V-s und seine Lochmobilität ist 75 cm²/V-s. Seine Brechzahl ist wellenlängenabhängig. Sie beträgt 3,37 im sichtbaren Bereich, wohingegen sie bei 800 nm (IR) nur 3,2 beträgt.
Siehe auch
Quellen
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