Durchlassspannung
81Tunneldiode — vom Typ 1N3716 (links). Rechts oben ein Jumper mit ca. 3 mm zum Größenvergleich Die Tunneldiode, 1957 entdeckt von dem Japaner Leo Esaki (deshalb auch Esaki Diode genannt), ist ein Hochfrequenz Halbleiterbauelement …
82Verpolung — Bei einer Verpolung ist die Stromzufuhr zu einem elektrischen Bauteil nicht standardgemäß gepolt. Dies ist zum Beispiel der Fall, wenn die beiden Klemmen einer Batterie oder eines Lautsprechers vertauscht sind. Sägezahnsignale, zwei Schwingungen… …
83Vorwiderstand — Ein Vorwiderstand ist ein elektrischer Widerstand, der in Reihe zu einem elektronischen Bauteil geschaltet wird, um die Spannung bzw. den Strom auf zulässige Werte zu begrenzen. Die gesamte elektrische Spannung muss höher sein als die… …
84Zweipulsige Brückenschaltung — Gleichrichter werden in der Elektrotechnik und Elektronik zur Umwandlung von Wechselspannung in pulsierende Gleichspannung verwendet. Sie stellen, neben Wechselrichtern und Umrichtern, eine Untergruppe der Stromrichter dar. Um reine… …
85Übersteuerungsbereich — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …
86Pegelumsetzer — Als Pegelumsetzer oder Pegelwandler (englisch level shifter) bezeichnet man in der Elektronik eine diskrete oder integrierte elektronische Schaltung, welche die Signalpegel in der Regel Spannungssignale einer Informationsquelle an die… …
87среднее — 3.3 среднее (mean): Среднее значение для (выбранного) времени усреднения результатов измерений анемометром. Источник: ГОСТ Р ИСО 1 …
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88Среднее прямое напряжение диода — 5. Среднее прямое напряжение диода D. Mittlere Durchlassspannung der Diode E. Average forward voltage F. Tension directe moyenne Uпр.ср Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе Источник: ГОСТ 25529 82:… …
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89ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 25529 82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z Spannung der Z… …
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