Trench-Technik

Die Trench-Technik („trench“, deutsch Graben) ist ein Halbleiterherstellungsprozess, der insbesondere bei der Herstellung von DRAM Verwendung findet.

Beschreibung

Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in Planar-Technologie. Der Kondensator ist als „Grabenkondensator mit Poly-Si-Platte“ (engl. poly plate trench capacitor).

Zentrales Element dieser Technik ist der Graben- bzw. Lochkondensator. Die Trenches werden dabei durch reaktives Ionenätzen in den Siliziumkristall geätzt und anschließend innen beschichtet, so dass ein Kondensator entsteht. Die entstehenden Trenches können ein Aspektverhältnis (Tiefe zu Öffnungsdurchmesser) von bis zu 70:1 (Deep-Trench; Stand 2004^[1]) aufweisen. Dies ermöglicht bei wenig Platzverbrauch eine ausreichend große Oberfläche für den Speicherkondensator für DRAM-Zellen und somit die notwendigen Kapazitäten zu erreichen.

Eine mögliche Anwendung für solche Grabenkondensatoren ist der Einsatz als Speicherkondensator in DRAM-Zellen. Da die präzise Fertigung tiefer Gräben/Löcher und die Beschichtung der Innenseiten sehr kompliziert ist, nutzt sie heutzutage (2009) keiner der größeren Speicherhersteller mehr. Stattdessen nutzen diese die sogenannte Stack-Technik, bei der der Speicherkondensator oberhalb, das heißt in aufgebrachten Schichten, aufgebaut wird. Der letzte größere Hersteller mit Trench-Technik war Qimonda, der 2008 mit der Entwicklung der Buried-Wordline-Technik^[2] ebenfalls auf eine Stack-Kondensator umgestiegen ist.

Einzelnachweise

1. ↑ Karin Braeckle: Infineon präsentiert Durchbruch bei der DRAM-Trench-Technologie. Auf: innovations-report. 14. Dezember 2004
2. ↑ Qimonda (Hrsg.): Buried Wordline. Auf: Qimonda-Website. abgerufen am 7. Februar 2009