- Bidirektionaler Assoziativspeicher
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Bidirektionaler Assoziativspeicher, englisch bidirectional associative memory (kurz: BAM), ist eine Klasse künstlicher neuronaler Netze und kann als verallgemeinertes Hopfield-Netz betrachtet werden. BAM gehört zu der Gruppe der rückgekoppelten neuronalen Netze.
Inhaltsverzeichnis
Struktur
Ein BAM-Netz besteht aus einer Eingabeschicht I von n und einer Ausgabeschicht O von m künstlichen Neuronen, beide Schichten sind in beide Richtungen miteinander verbunden, wobei die Gewichte symmetrisch sind. Das führt zu einer m x n Matrix W für die Gewichte, die von I nach O gerichtet sind. Die Gewichte von O nach I entsprechen der transponierten Matrix WT.
Trainingsphase
In der Trainingsphase lernt das Netz einen n-dimensionalen Vektor x mit einem m-dimensionalen Vektor y zu verknüpfen. Dazu werden beide Vektoren an der Eingabeschicht I und Ausgabeschicht O angelegt und die Gewichtsmatrix kann in einem Lernschritt berechnet werden. Dazu gilt:
Wk = xyT k={1,...,l} für l Vektorpaare
Zum Schluss werden alle Gewichtsmatrizen zur resultierenden Gewichtsmatrix W addiert.
Muster Wiederherstellen
Bei einem Recall wird ein verrauschter Eingangsvektor an I angelegt und man lässt das Netz einfach rechnen, d.h. Neuronen der Ausgangsschicht berechnen ihren neuen Zustand über neti und geben diesen über oj wieder an I weiter. Dann beginnt der Prozess von vorn, solange bis die stetig sinkende Energie des Netzes ein lokales Minimum erreicht hat. Nun kann der assoziierte Ausgabevektor entnommen werden.
und
Literatur
- Gerhard Schöneburg, Nikolaus Hansen, Andreas Gawelczyk, Neuronale Netze, Markt&Technik Verlag Haar(1990), ISBN 3-89090-329-0.
- Andreas Zell, Simulation neuronaler Netze, R. Oldenbourg Verlag München(1997), ISBN 3-486-24350-0.
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