Majoritäts-Ladungsträger

Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Majoritätsladungsträger die Defektelektronen (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die Elektronen. Da bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren beziehungsweise Akzeptoren ionisiert sind, führt dieses zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration im

p-Gebiet

$p=\frac{n_A}{2}+\sqrt{\left(\frac{n_A}{2}\right)^2 + n_i^2} \approx N_A=konst. \,$

n-Gebiet

$n=\frac{n_D}{2}+\sqrt{\left(\frac{n_D}{2}\right)^2 + n_i^2} \approx N_D=konst. \,$