Rapid Thermal Oxidation

Rapid Thermal Oxidation

Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird.

Inhaltsverzeichnis

Grundprinzip

Der in die Prozesskammer eingebrachte Wafer wird durch mehrere Halogenlampen (meist 150–250 Stück bei 200-mm-Wafern) mit einer Gesamtleistung von 40 kW und mehr auf eine Temperatur von ca. 1000 °C erwärmt.

Durch die hohe Leistung der Lampen sind Aufheizraten (engl. ramp-up) von über 100 Kelvin pro Sekunde möglich. Nach Abschalten der Halogenlampen kühlt der Wafer wiederum sehr schnell ab (engl. ramp-down, ca. 50 Kelvin pro Sekunde). Die meisten RTP-Prozesse finden unter Vakuum statt, um eine ungewollte Oxidation zu vermeiden

Prozesse

Rapid Thermal Annealing

„Rapid Thermal Annealing“ (RTA) dient zur Ausheilung der Kristallstruktur des Wafers, beispielsweise nach Implantationsprozessen. Durch dieses Verfahren werden Kristallgitterfehler im behandelten Wafer reduziert und somit die elektrischen Eigenschaften verbessert. Um dies zu erreichen, wird der Wafer 10–20 Sekunden auf Temperaturen um 1000 °C gebracht. So können sich kleinere Versetzungen im Kristall ausgleichen und etwaige Dotenten auf Zwischengitterplätze besser ins Kristallgitter einfügen. Durch die kurzen Prozesszeiten wird jedoch die weitere Diffusion der Dotierstoffe auf ein Minimum begrenzt.


Rapid Thermal Oxidation

„Rapid Thermal Oxidation“ (RTO) dient zur Erzeugung von sehr dünnen Oxiden (<20 Ångström) die zum Beispiel als Streuoxid für Implantationsprozesse dienen.

Weitere Anwendung

Erzeugung von Titansilicid durch Auftrag einer Titanschicht von ca. 40 nm Dicke und anschließender Umwandlung in ein Silicid durch RTP

Literatur

  • Michael Quirk, Julian Serda: Semiconductor Manufacturing Technology. Prentice-Hall, 2000. ISBN 0-13-081520-9
  • Ulrich Hilleringmann: Silizium-Halbleitertechnologie. 4. Auflage, Teubner, 2004. ISBN 3-519-30149-0

Wikimedia Foundation.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:

  • Rapid Thermal Processing — (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird. Inhaltsverzeichnis 1 Grundprinzip 2 Prozesse 2 …   Deutsch Wikipedia

  • Rapid Thermal Annealing — Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird. Inhaltsverzeichnis 1… …   Deutsch Wikipedia

  • Rapid thermal processing — (or RTP) refers to a semiconductor manufacturing process which heats silicon wafers to high temperatures (up to 1200 C or greater) on a timescale of several seconds or less. The wafers must be brought down (temperature) slow enough however, so… …   Wikipedia

  • Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… …   Deutsch Wikipedia

  • Thermal spraying — techniques are coating processes in which melted (or heated) materials are sprayed onto a surface. The feedstock (coating precursor) is heated by electrical (plasma or arc) or chemical means (combustion flame). Thermal spraying can provide thick… …   Wikipedia

  • Paleocene–Eocene Thermal Maximum — The Paleocene/Eocene boundary, Ma|eocene, was marked by the most rapid and significant climatic disturbance of the Cenozoic Era. A sudden global warming event, leading to the Paleocene Eocene Thermal Maximum (PETM, alternatively nowrap| Eocene… …   Wikipedia

  • Integrierter Schaltkreis — Integrierter Schaltkreis. Das Chip Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen… …   Deutsch Wikipedia

  • RTO — steht für: Really Terrible Orchestra, ein Laienorchester aus Schottland Rejected Take Off, eine Abkürzung für einen Startabbruch in der Luftfahrt Rapid Thermal Oxidation, ein CVD Verfahren in der Halbleitertechnik Radio Telstar Offenburg, ein… …   Deutsch Wikipedia

  • advanced ceramics — ▪ ceramics Introduction       substances and processes used in the development and manufacture of ceramic materials that exhibit special properties.       As is pointed out in the article ceramic composition and properties, ceramics are… …   Universalium

  • Semiconductor device fabrication — Semiconductor manufacturing processes 10 µm 1971 3 µm 1975 1.5 µm 1982 …   Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
… Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”