InSb

Kristallstruktur
__ In3+     __ Sb3−
Allgemeines
Name	Indiumantimonid
Verhältnisformel	InSb
CAS-Nummer	1312-41-0
Kurzbeschreibung	silbergrauer Feststoff
Eigenschaften
Molare Masse	236,6 g·mol–1
Aggregatzustand	fest
Dichte	5,75 g·cm–3[1]
Schmelzpunkt	500 °C (Zersetzung)[1]
Löslichkeit	unlöslich in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
Gefahrstoffkennzeichnung aus RL 67/548/EWG, Anh. I [2] Gesundheits- schädlich Umwelt- gefährlich (Xn) (N) R- und S-Sätze R: 20/22-51/53 S: (2)-61
MAK	0,5 mg·m–3 (Sb). 0,1 mg·m–3 (In) [1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Indiumantimonid (InSb) ist eine chemische Verbindung aus Indium (In) und Antimon (Sb). Es zählt zu den III-V-Halbleitern.

Eigenschaften

Indiumantimonid

Indiumantimonid besitzt die größte Elektronenbeweglichkeit aller bekannten Halbleiter und eignet sich daher besonders gut zur Herstellung von Transistoren.

Gewinnung und Darstellung

Indiumantimonid bildet sich beim Zusammenschmelzen der beiden hochreinen Elemente:

$\mathrm{In\ +\ Sb \longrightarrow\ InSb}$

Verwendung

Die Firmen Intel und QinetiQ entwickeln momentan zusammen einen Transistor aus Indiumantimonid. Dieser soll etwa 50 % schneller schalten und gleichzeitig lediglich ein Zehntel der Energie momentaner Transistoren verbrauchen. Die Forschungen sollen allerdings erst gegen 2010 abgeschlossen sein.

Außerdem wird Indiumantimonid noch als Werkstoff für Infrarotsensoren benutzt, vor allem im Spektrum von 1000 nm bis 5500 nm.

Einzelnachweise

1. ↑ ^{a b c d} Sicherheitsdatenblatt (alfa-aesar)
2. ↑ Nicht explizit in RL 67/548/EWG, Anh. I gelistet, fällt aber dort mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Sammelbegriff „Antimonverbindungen“; Eintrag in der GESTIS-Stoffdatenbank des BGIA, abgerufen am 31. März 2009 (JavaScript erforderlich)