- Kollektor-Emitter-Spannung
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Die Kollektor-Emitter-Spannung oder UCE gibt an, wie hoch der Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitter eines Bipolartransistors ist.
Solange der Transistor vollständig gesperrt ist (d. h. wenn keine Basis-Emitter-Spannung anliegt, also UBE = 0 V), fällt die volle Betriebsspannung des Transistors an der Kollektor-Emitter-Strecke ab.
Ist ein Transistor dagegen voll durchgesteuert (bei einem Silizium-Transistor üblicherweise bei UBE = 0,7 V), fällt noch immer ein kleiner Teil der Betriebsspannung an der Kollektor-Emitter-Strecke ab. Im voll durchgesteuerten Zustand spricht man dann von der Sättigungsspannung eines Transistors, was auch als UCE sat bezeichnet wird. Ein für einen Silizium-Transistor üblicher Wert ist UCE sat = 0,2 V.
Da ein Transistor aufgrund der Isolationseigenschaften seiner Sperrschicht ab einer bestimmten Spannung durchschlägt, existiert eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung. Sie gibt an, wie hoch die Kollektor-Emitter-Spannung höchstens sein darf, bevor der Transistor zerstört wird. Diese Spannung wird als UCE max bezeichnet.
Siehe auch
Literatur
- Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm: Halbleiter-Schaltungstechnik. 13., neu bearb. Auflage. Springer, Berlin 2009, ISBN 3642016219.
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