PMOS

PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik

Die Abkürzung PMOS steht für „p-channel metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und ist eine Halbleitertechnik, bei der der leitende Kanal aus p-leitendem Halbleitermaterial hergestellt ist. PMOS beruht auf der Bewegung von Defektelektronen (Löcher) statt Elektronen im Kristallgitter. Da Löcher eine (viel) geringere effektive Beweglichkeit aufweisen als Elektronen, ist die PMOS-Technik langsamer als NMOS (n-channel metal-oxide-semiconductor).

Die PMOS-Technik hat allerdings den Vorteil der einfacheren und daher billigeren Herstellung, da weniger Masken bzw. Lithographieschritte benötigt werden. Sie stellt die ursprüngliche Herstellungsform dar. Heutzutage wird sie nur noch bei einfachen Anwendungen eingesetzt, bei denen es nicht auf die Rechengeschwindigkeit ankommt, z. B. in Taschenrechnern oder Fernbedienungen. Außerdem findet sie in Kombination mit der NMOS-Technik als CMOS-Technik Anwendung in stromsparenden integrierten Schaltkreisen.

Siehe auch: MOSFET, HMOS


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