HMOS

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HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS-Logik Anwendung.

HMOS-Generationen (Quelle: [1])
Generation Einführung Kanallänge Gatterverzögerung
HMOS I 1976 ≈ 3 µm 100 ns
HMOS II 1979 ≈ 2 µm 30 ns
HMOS III 1982 ≈ 1,5 µm 10 ns

Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert.

Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.

Literatur

  • K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund: HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. In: Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 16, Nr. 5, 1981, S. 454–459 (Abstract).

Einzelnachweise

  1. ↑ Dieter Sautter, Hans Weinerth: Lexikon Elektrotechnik und Mikroelektronik. 2. Auflage. Springer, Berlin 1993, ISBN 978-3540621317.

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