Plasma enhanced chemical vapour deposition
- Plasma enhanced chemical vapour deposition
-
Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (engl. plasma enhanced chemical vapour deposition, PECVD; auch engl. plasma assisted chemical vapour deposition, PACVD, genannt) ist eine Sonderform der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei der die chemische Abscheidung durch ein Plasma unterstützt wird. Das Plasma kann direkt beim zu beschichtenden Substrat (Direktplasma-Methode) oder in einer getrennten Kammer (Remote-Plasma-Methode) brennen.
Funktionsweise
Während bei der CVD die Dissoziation (das Aufbrechen) der Moleküle des Reaktionsgases durch externe Zufuhr von Wärme sowie die freigewordene Energie der folgenden chemischen Reaktionen geschieht, übernehmen diese Aufgabe bei der PECVD beschleunigte Elektronen im Plasma. Zusätzlich zu den auf diese Weise gebildeten Radikalen werden in einem Plasma auch Ionen erzeugt, die zusammen mit dem Radikalen die Schichtabscheidung auf dem Substrat bewirken. Die Gastemperatur im Plasma erhöht sich dabei in der Regel nur um wenige Hundert Grad Celsius, wodurch im Gegensatz zur CVD auch temperaturempfindlichere Materialien beschichtet werden können.
Bei der Direktplasma-Methode wird zwischen dem zu beschichtenden Substrat und einer Gegenelektrode ein starkes elektrisches Feld angelegt, durch das ein Plasma gezündet wird. Bei der Remote-Plasma-Methode ist das Plasma so angeordnet, dass es keinen direkten Kontakt zum Substrat hat. Dadurch erzielt man Vorteile bzgl. selektiver Anregung von einzelnen Komponenten eines Prozessgasgemisches und verringert die Möglichkeit einer Plasmaschädigung der Substratoberfläche durch die Ionen. Nachteile sind evtl. der Verlust von Radikalen auf der Strecke zwischen Remote-Plasma und Substrat und die Möglichkeit von Gasphasenreaktionen bevor die reaktiven Gasmoleküle die Substratoberfläche erreicht haben.
Die Plasmen können auch induktiv/kapazitiv durch Einstrahlung eines elektromagnetischen Wechselfeldes erzeugt werden, wodurch Elektroden überflüssig werden.
Mit PECVD lassen sich amorphes Silicium, Siliciumnitride, Siliciumoxide und Silicium-Oxid-Nitrid-Filme und vieles mehr abscheiden (z. B. Kohlenstoffnanoröhren).
Siehe auch
Plasmabeschichtung
Weblinks
Wikimedia Foundation.
Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition — Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, PECVD or sometimes PCVD, is the process by which chemicals are deposited onto a substrate using a Radio Frequency (RF) Plasma to split the precursors into active ions.TheoryPrecursor chemical enter the… … Wikipedia
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition — Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (engl. plasma enhanced chemical vapour deposition, PECVD; auch engl. plasma assisted chemical vapour deposition, PACVD, genannt) ist eine Sonderform der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD),… … Deutsch Wikipedia
Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemical vapour deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Combustion chemical vapor deposition — (CCVD) is a chemical process by which thin film coatings are deposited onto substrates in the open atmosphere. Contents 1 History 2 Principles and procedure 3 Remote combustion chemical v … Wikipedia
Plasma nitriding — or ion nitriding (sometimes also called plasma ion nitriding) or glow discharge nitriding, is an industrial surface hardening treatment for metallic materials.DescriptionA plasma is the fourth state of matter, the other three being solid, liquid… … Wikipedia
Kunststoffgalvanisierung — Unter Kunststoffgalvanisierung (auch Kunststoffmetallisierung genannt) versteht man das galvanische Überziehen eines Kunststoffs mit einer Metallschicht. Die Vorteile von Kunststoffen als Grundmaterial sind vielfältig. Geringes Gewicht,… … Deutsch Wikipedia
Slot-waveguide — A slot waveguide is an optical waveguide that guides strongly confined light in a subwavelength scale low refractive index region by total internal reflection.A slot waveguide consists of two strips or slabs of high refractive index (nH)… … Wikipedia
PA-CVD — Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (engl. plasma enhanced chemical vapour deposition, PECVD; auch engl. plasma assisted chemical vapour deposition, PACVD, genannt) ist eine Sonderform der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD),… … Deutsch Wikipedia
PECVD in Aktion: Gleichstrom-Plasma (violett) verbessert in dieser Labormaßstab-PECVD-Apparatur das Wachstum von Kohlenstoffnanoröhrchen.
