Electron Backscatter Diffraction

EBSD-Muster

Electron backscatter diffraction (EBSD) ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann.

EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt^[1]. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die Bragg-Bedingung erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver Interferenz. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: electron backscatter pattern, EBSP, auch Kikuchi-Pattern) alle Winkelbeziehungen im Kristall und somit auch die Kristallsymmetrie beinhaltet. Das so entstehende Beugungsbild wird mit Hilfe eines Phosphorschirms aufgenommen^[2].

Die Nutzung der hohen örtlichen Auflösung von Elektronenmiskroskopen und die automatisierte Bildauswertung mit Hilfe von Computern ermöglicht die ortsaufgelöste Ermittlung (Mapping) der Kristallsymmetrien (Kristallstruktur) und deren Ausrichtung (Kristallorientierung), sowie mit entsprechender Software und hochauflösender Detektion die Analyse von Materialverspannungen (Strain Analyse).

Siehe auch

• Elektronenbeugung

Weblinks

• www.ebsd.info

Literatur

• Joseph Goldstein et al.: Scanning Electron Microscopy and X-ray microanalysis 690 Seiten - Springer, New York. 2003 - 3. Auflage - ISBN 978-0-306-47292-3

• F. J. Humphreys: Review Grain and subgrain characterisation by electron backscatter diffraction, Journal of Materials Science, Volume 36, Number 16, Seiten 3833 bis 3854 , 2001

Einzelnachweise

1. ↑ Basics of EBSD. Oxford Instruments, abgerufen am 24. Januar 2011 (pdf, englisch). 
2. ↑ Electron Backscatter Diffraction EBSD. Kristallographihisches Institut, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, abgerufen am 24. Januar 2011 (pdf, deutsch).