Nichtflüchtiger Datenspeicher

Nichtflüchtiger Datenspeicher

Als nichtflüchtigen Datenspeicher (kurz nichtflüchtiger Speicher vom englischen nonvolatile oder non-volatile memory, kurz NVM), Festspeicher oder persistenten Speicher werden in der digitalen Datenverarbeitung verschiedene Datenspeicher bezeichnet, dessen gespeicherte Informationen auf Dauer erhalten bleiben – also auch während der Rechner nicht in Betrieb ist oder nicht mit Strom versorgt wird.

Nichtflüchtige Speicher sind beispielsweise Festplatten, CDs, DVDs, Disketten sowie Halbleiterspeicher-Bausteine wie EPROM, Flash-Speicher und (früher) Kernspeicher.

Siehe auch


Wikimedia Foundation.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:

  • Nichtflüchtiger Speicher — Als Nichtflüchtiger Speicher (engl.: nonvolatile memory (NVM)) bezeichnet man einen Datenspeicher, dessen gespeicherte Informationen erhalten bleiben, auch während der Computer nicht in Betrieb ist bzw. mit Strom versorgt wird. Nichtflüchtige… …   Deutsch Wikipedia

  • NVRAM — (Abk.: Non Volatile Random Access Memory) ist in der Elektronik ein nichtflüchtiger Datenspeicher, welcher auf RAM Speichern basiert und dessen Dateninhalt ohne externe Energieversorgung erhalten bleibt. Herkömmliche RAM Speicher wie dynamisches… …   Deutsch Wikipedia

  • MTJ — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… …   Deutsch Wikipedia

  • Magnetic Tunnel Junction — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… …   Deutsch Wikipedia

  • Magnetischer Tunnelwiderstand — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (englisch tunnel magnetoresistance, TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten (engl. magnetic tunnel junction, MTJ) auftritt. Dabei… …   Deutsch Wikipedia

  • TMR-Effekt — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… …   Deutsch Wikipedia

  • Tunneling Magneto Resistance — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… …   Deutsch Wikipedia

  • Magnet bubble memory — Magnetblasenspeicher ist eine Art von Computer Datenspeicher, bei dem ein dünner Film eines magnetisierbaren Materials zum Einsatz kommt, in dem sich kleine magnetische Bereiche, die sogenannten Blasen (englisch: bubbles) befinden. Jede dieser… …   Deutsch Wikipedia

  • E2PROM — Ein Flash EEPROM (links) und ein EPROM (rechts). EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, wörtlich: elektrisch löschbarer, programmierbarer Nur Lese Speicher, auch E2PROM genannt) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer… …   Deutsch Wikipedia

  • EEPROM — Ein Flash EEPROM (links) und ein EPROM (rechts). EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, wörtlich: elektrisch löschbarer, programmierbarer Nur Lese Speicher, auch E2PROM genannt) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer… …   Deutsch Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”