Optical proximity correction
- Optical proximity correction
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Abbildungsfehler ohne OPC und Verbesserung mit OPC-Strukturen in der Fotomaske (Schema)
Optical proximity correction (OPC, englisch, deutsch etwa: optische Nahbereichskorrektur) ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Korrektur bzw. Verringerung von Abbildungsfehlern von Strukturen bei fotolithografische Prozessen. Es gehört zur Gruppe der Auflösungsverbesserungsverfahren (engl.: resulution enhancement technique, RET).
Beschreibung
Bei der fotolitografischen Abbildung einer Struktur mit Dimensionen im Bereich und unterhalb der verwendeten Wellenlänge, wie sie seit einigen Jahren in der Mikroelektronik der Fall ist, entstehen insbesondere durch wellenoptische Effekte (z. B. Beugung) Abbildungsfehler. Die OPC versucht diese Effekte, wie Linienendenverkürzung, Kantenverrundungen oder Verbreiterung benachbarter Linien, durch zusätzliche Strukturen auf der Fotomaske zu kompensiert. Zu diesen Korrekturstrukturen, die auch mehrstufig verwendet werden, gehören:
- Zusätzliche Linien an der Seite (engl.: line witdh extensions) zur Breitenkorrektur
- Verlängerte Linienenden (engl.: line end extensions)
- T-förmige Strukturen an den Linienenden (engl.: hammerheads)
- Zusätzlichen Quadrate an den konvexen Ecken (engl.: serif)
- Negative Quadrate an konkaven Ecken
Literatur
Weblinks
- Rolf Froböse: RET- und OPC-Masken. In: Scharfe Sache: Maskentechnologie. tecChannel, 23. Februar 2004, S. 4, abgerufen am 10. Januar 2010 (Bild einer DRAM-Struktur in unterschiedlichen Stufen der Herstellung).
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