Velocity overshoot

Velocity overshoot

Velocity overshoot (auf deutsch ungefähr ‚Geschwindigkeitsüberhöhung‘) ist ein englischsprachiger Begriff aus der Festkörperphysik. Es beschreibt das Verhalten von Ladungsträgern in einem Halbleiter, wenn dieser einem äußeren elektrischen Feld ausgesetzt wird. Dabei werden die Ladungsträger anfänglich sehr stark beschleunigt, bis sie ab einer bestimmten Feldstärke abgebremst werden.[1] Der Effekt lässt sich unter anderem dadurch erklären, dass das Leitungsband mehrere nah bei einander liegende Minima aufweist. Ab der oben genannten Feldstärke können die Ladungsträger von einem Minimum ins andere (höher gelegenen Minimum, englisch higher valley) wechseln. Dadurch erreichen sie höherenergetischen Zustände und verlieren an Beweglichkeit (werden stärker abgebremst).

Literatur

  • Peter Graf: Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si / SiGe-Heterobipolartransistoren. Herbert Utz Verlag 1999, ISBN 978-3896755742, S. 79ff.

Einzelnachweise

  1. ↑ Andreas Schenk; ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory (Hrsg.): Halbleiterbauelemente. physikalische Grundlagen und Simulation. 2001, doi:10.3929/ethz-a-004303105 (Lehrmaterial).

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