HDI-Leiterplatte

HDI-Leiterplatte
Aufbau eines 6-Lagen-HDI/SBU-Multilayer

Die HDI-Leiterplatte (High-Density-Interconnect-Leiterplatte) ist eine kompakt gestaltete Leiterplatte.

Inhaltsverzeichnis

Vorteile gegenüber gewöhnlichen Leiterplatten

Die ständig fortschreitende Miniaturisierung und die immer komplexer benötigten Schaltungen sowie Bauelemente mit hohen Pin-Zahlen bringen die klassischen Mulitlayer-Platinen immer mehr an die physikalischen Grenzen ihrer Möglichkeiten. HDI-Leiterplatten bieten feinere Leitungsstrukturen und kleinere Durchkontaktierungen. Die Microvias schaffen so Platz und haben zudem bessere elektrische Eigenschaften als klassische „dicke“ Durchkontaktierungen oder Sacklöcher.

Durch die Verpressung weiterer Lagen mit der SBU-Technik (Sequential Build Up) lassen sich Signale auf den inneren Lagen verbinden und entflechten, ohne dabei den Platz für Bauteile mit hoher Pin-Dichte zu blockieren. Mit etwas Erfahrung können mit einem guten Layout diese Bauteile sogar überlappend gegenüber auf der Leiterplatte platziert werden. Dünne Leiterplatten mit 100-µm- und 125-µm-Strukturen ermöglichen dabei impedanzkontrollierte Leitungen für hohe und höchste Frequenzen.

Der Siegeszug der HDI-Leiterplatte startete Ende der 90er mit den Produkten im DECT- und GSM-Mobilfunk-Bereich. 2008 werden weltweit etwa 98 % aller mobilen GSM- und UMTS-Geräte als HDI-Leiterplatte gefertigt.

Nachteile gegenüber gewöhnlichen Leiterplatten

Aufgrund des komplexeren Herstellungsverfahrens ist man stärker an einen Hersteller gebunden (Beherrschte Fertigungsprozesse, Toleranzen, Schichtdicke, Dielektrizitätszahl des Trägermaterials etc.).

Stichwörter aus dem HDI-Bereich

  • HDI (High Density Interconnect): Schaltung mit Microvias und feinsten Strukturen
  • SBU (Sequential Build Up): Sequentieller Lagenaufbau; bedingt mindestens zwei Pressvorgänge bei Multilayerschaltungen.
  • Buried Via (Vergrabene Durchkontaktierung): In den Kernlagen liegende und außen nicht sichtbare Durchkontaktierung
  • Blind Via (Sackloch): Auf einer Innenlage endende Ankontaktierung.
  • Microvia: An- oder Durchkontaktierung mit einem Durchmesser unter 200 µm.

Aufbau und Fertigungsschritte

Symbol Signatur Beschreibung Layoutvorgaben Bemerkung
1 Außenlagenstrukturen
A Außenlagenstruktur > 75 µm Abhängig von der Cu-Dicke
B Leiterbahnabstand > 75 µm Abhängig von der Cu-Dicke
2 Innenlagenstruktur
C Leiterbahnbreite > 75 µm Abhängig von der Cu-Dicke
D Leiterbahnabstand > 75 µm Abhängig von der Cu-Dicke
3 Microvias von Top auf L2,
Standard- o. kon. Micro
Drill Werkzeug
E Hole-Durchmesser Eintritt > 100 µm Wenn konisch, dann abhängig von Bohrtiefe
(Dielektrikumsdicke)
F Hole-Durchmesser Targetpad > 100 µm Wird durch Werkzeug definiert
G Bohrtiefe Abhängig von
Dielektrikumsdicke
Aspect Ratio > 1:1 beachten!
H Microvia Eintrittspad > E + 200 µm Umlaufend 100 µm um Bohrung nötig
I Microvia Landepad > 350 µm F + 125 µm umlaufend um Hole-Durchmesser
auf Landepad
4 Buried Via von L2 auf L5
J Bohrdurchmesser > 150 µm Aspect Ratio > 1:8 beachten!
K Paddurchmesser > L + 200 µm
5 Durchgangsloch
L Bohrdurchmesser > 150 µm Aspect Ratio > 1:8 beachten!
M Paddurchmesser Außenlagen > L + 200 µm Umlaufend 100 µm um Bohrung nötig
N Paddurchmesser Innenlagen > L + 250 µm Umlaufend 125 µm um Bohrung nötig

Fertigung eines 6-Lagen- HDI/SBU-Multilayer

  1. Strukturen der Innenlagen 1 und 2 fertigen mit L2+L3 und L4+L5 (vgl. Bild oben)
  2. Verpressen der Innenlagen 1 und 2 mit den innen liegenden Prepregs zu einem Multilayer-Kern
  3. Bohren der Buried Vias als durchgehende Bohrungen (4)
  4. Durchkontaktierung des Multilayer-Kerns (L2 bis L5)
  5. Hole Plugging (optional): Füllen der Hülse 4 mit Füllmaterial und anschließendes Planschleifen
  6. Strukturieren des Kerns (Lagen 2 und 5)
  7. Verpressen mit den außen liegenden Prepreg-Laminaten
  8. Bohren der Microvias 3 und der Duchkontaktierungen 5
  9. Fertigstellen (Strukturieren, Kontaktieren, Außenflächenbehandlung) wie eine gewöhnliche Multilayer
  10. Oberflächenfinish (empfehlenswert: chemisch Zinn oder chemisch Nickel/Gold)

Je nach den gewünschten Eigenschaften und nach der Lage und Art der Kontaktierungen sind mehrere Varianten des Aufbaus für eine bestimmte Lagenanzahl möglich.

Prüfen von HDI-Leiterplatten

Kleinere Serien

Kleinere Serien werden am wirtschaftlichsten mit Fingertestern (auch als Flying-Probe-Tester bekannt) geprüft, welche die Testpunkte optisch erfassen können und so ihre Prüffinger exakt auf die Pads auslenken können. Ein Vorteil ist dabei, dass der Fingertester einfach auf ein neues Produkt umgelernt werden kann. So können kleine Serien auch kostengünstig geprüft werden. Nachteil dabei ist, dass das Prüfen einer Leiterplatte mehrere Minuten in Anspruch nehmen kann, wenn viele Verbindungen zu prüfen sind. Oft werden aus Zeitgründen nur Impedanzmessungen gemacht und so wird der Prüfling nicht einer 100-%-Prüfung unterzogen.

Größere Serien

Bei größeren Serien (teilweise schon ab 50 bis 100 Leiterplatten) ist der Einsatz von einem Starrnadeladapter sinnvoll. Dabei werden die Leiterplatten unter einem PRS (Kamerasystem) ausgemessen (auf Schrumpfung, Dehnung, Kissenform, Tonnenform, Verdrehung und Versatz zwischen dem Top- und Bottom- Layer). Anhand dieser Korrekturwerte wird dann die HDI-Leiterplatte in der Kontaktierung positioniert und mit dem Starrnadeladapter kontaktiert und geprüft. Mit den feinen Starrnadeln können 70 µm Strukturen kontaktiert werden, welche einen Prüfabstand > 150 µm aufweisen. Das Konzept dieser Adapter ermöglicht es auch, bis 280 Testpunkte pro cm2 aufzulösen, wodurch eine sehr hohe Prüfdichte erreicht werden kann.

Vorteile sind:

  • Das Prüfen mit Starrnadeladaptern ist sehr schnell, so dass auch größere Serien schnell geprüft werden können.
  • Die HDI-Leiterplatten werden einer 100-%-Prüfung unterzogen
  • Mit den Starrnadeladaptern können auch bestückte HDI Leiterplatten kontaktiert werden, wodurch so auch ein Funktionstest vollzogen werden kann.

Nachteil ist, dass die Starrnadeladapter produktspezifisch hergestellt werden müssen, wodurch pro Leiterplattentyp Adapterkosten entstehen.

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