Rastertunnelspektroskopie

Die Rastertunnelspektroskopie (englisch scanning tunneling spectroscopy, STS) ist eine Weiterentwicklung des Rastertunnelmikroskops. Mit ihr lassen sich die lokalen (oberflächennahen) Zustandsdichten (LDOS) von Elektronen (bzw. Löchern, also fehlenden Elektronen) messen. Man verwendet ein Rastertunnelmikroskop, bei dem man, zusätzlich zu der bisherigen Gleichspannung, eine Wechselspannung an die Messspitze anlegt. Dann variiert man langsam die Gleichspannung, die die Spitze auf das Potential U bringt, und trägt dI / dU(x,y,U) auf, wobei dieses Durchfahren der Spannung an jedem Bildpunkt geschehen muss.

Siehe auch

• Oberflächenchemie

Literatur

• J. Tersoff, D. R. Hamann: Theory of the scanning tunneling microscope. In: Phys. Rev. B. 31, Nr. 2, 1985, S. 805–813, doi:10.1103/PhysRevB.31.805 (PDF, abgerufen am 27. März 2010).
• M. Morgenstern, D. Haude, V. Gudmundson, Chr. Wittneven, R. Dombrowski, Chr. Steinebach, and R. Wiesendanger: Low Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy on n-InAs(110). In: J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.. 109, 2000, S. 127.
• Chr. Wittneven, R. Dombrowski, M. Morgenstern, R. Wiesendanger: Scattering States of Ionized Dopants Probed by Low Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy. In: Phys. Rev. Lett.. 81, 1998, S. 5616–5619, doi:10.1103/PhysRevLett.81.5616.
• G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel: 7 x 7 Reconstruction on Si(111) Resolved in Real Space. In: Physical Review Letters. 50, Nr. 2, 1983, S. 120–123, doi:/10.1103/PhysRevLett.50.120 (PDF, abgerufen am 27. März 2010).
• G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel: Surface Studies by Scanning Tunneling Microscopy. In: Physical Review Letters. 49, Nr. 1, 1982, S. 57–61, doi:10.1103/PhysRevLett.49.57 (PDF, abgerufen am 27. März 2010).
• G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel: Tunneling through a controllable vacuum gap. In: Applied Physical Letters. 40, Nr. 2, 1982, S. 178–180, doi:10.1063/1.92999.

Weblinks

• Uni-Mainz: Rastertunnelspektroskopie
• Uni-Kiel: Rastertunnelspektroskopie am Beispiel von Oberflächenzuständen