Spacer (Halbleitertechnik)

Querschnitt durch einen IC auf einem Silicon-on-Sapphire-Substrat. Dabei ist seitlich am Gate-Schichtstapel ein einfacher Spacer dargestellt

Als Spacer (engl. für ‚Abstandshalter‘), auch sidewall spacer genannt, werden in der Halbleitertechnik dünne Schichten an einer Seitenwand bezeichnet. Im Allgemeinen wird der Begriff auf seitlich am Gate-Schichtstapel befindlicher Schichten von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren bezogen. Sie bestehen in der Regel aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid, zwei Standardmaterialen der Halbleitertechnik. Solche Spacer dienen während der Herstellung von mikroelektronischen Schaltkreisen unter anderem als Schutzschicht für den Gate-Schichtstapel vor Ätzangriffen durch nasschemisches Ätzen oder kommen als Opferschicht bei bestimmten Herstellungsverfahren zum Einsatz.

Die Herstellung von Spacern erfolgt meist in zwei Schritten. Zunächst wird einer Schicht aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid mit Beschichtungsprozess abgeschieden, der sich vor allem durch eine gute Kantenbedeckung auszeichnet (in der Regel ein Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung). Im zweiten Schritt wird diese Schicht durch einen stark anistotropen Ätzschritt (Trockenätzen) von oben herab entfernt. Durch die starke Anisotropie wird dabei die Schicht auf der Oberseite der Gate-Elektrode, den Source- und-Drain-Gebiten sowie den Isolationsbereichen entfernt, bleibt aber an den Seitenwänden der Gate-Elektrode erhalten.