Tight-Binding-Methode

Tight-Binding-Methode

Die Tight-Binding-Methode (TB) dient zum Berechnen der Bandstruktur von Festkörpern oder Molekülen. Sie ist deutlich weniger rechenintensiv als die Dichtefunktionaltheorie (DFT), da hier meist nur die Valenzelektronen berechnet, die Wechselwirkungen der ersten N Nachbaratome berücksichtigt und Ein-Elektron-Betrachtungen durchgeführt werden. Es wird eine atomzentrierte Basis angenommen. Im Gegensatz zur k·p-Methode ist TB eine atomistische Methode, wodurch Grenzflächeneffekte (z. B. in Oberflächenchemie und Oberflächenphysik) berücksichtigt werden können. Jedoch eignet sie sich nur für die Simulation von kleineren Bauteilen der Mikroelektronik.

Siehe auch

  • LCAO (linear combination of atomic orbitals)

Literatur

  • G. F. Koster, John C. Slater: Wave Functions for Impurity Levels. In: Physical Review. 95, Nr. 5, 1954, S. 1167, doi:10.1103/PhysRev.95.1167.
  • C. M. Goringe, D. R. Bowler, E. Hernandez: Tight-binding modelling of materials. In: Reports on Progress in Physics. 60, 1997, S. 1447–1512, doi:10.1088/0034-4885/60/12/001.
  • N. W. Ashcroft, N. D. Mermin: Solid State Physics. Thomson Learning, Toronto 1976, S. 175 ff.

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