Heteroübergang

Bandenergien zweier Materialien unterschiedlicher Dotierung mit unterschiedlichem Bandabstand zwischen Valenzbandenergie E_v und Leitungsbandenergie E_c, ohne Kontakt.

Heteroübergang dieser Materialien mit Kontakt. Diffusionsspannung ψ_D (siehe p-n-Übergang). Der Energieunterschied zum Vakuumenergieniveau entspricht der Ionisationsenergie.

Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht (nur) die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke.

Heteroübergänge finden sich bei III-V-Halbleitern oder bei II-VI-Halbleitern.

Berechnung

Bei einem p-n-Heteroübergang stellt sich eine Unregelmäßigkeit in den Energiebändern der Materialien ein. Die Länge X dieser Unregelmäßigkeit, eine Verbiegung der Bandkanten, lässt sich über die Poissongleichung berechnen. Nimmt man den Übergang vom negativ dotierten Material 1 zum positiv dotierten Material 2 mit den relativen Dielektrizitätskonstanten ε und Dotierungskonzentrationen N_D bzw. N_A an, stellt sich mit der Diffusionsspannung ψ_D bei angelegtem äußeren elektrischen Feld der Spannung U eine Bandverbiegung der folgenden Weite ein:

$X_1 = \sqrt{\frac{2}{q}\frac{\varepsilon_1\varepsilon_2\cdot N_\mathrm{A}(\psi_\mathrm{D} - U)}{N_\mathrm{D}(\varepsilon_2 N_\mathrm{D}+\varepsilon_1 N_A)}}$, $X_2 = \sqrt{\frac{2}{q}\frac{\varepsilon_1\varepsilon_2\cdot N_\mathrm{D}(\psi_\mathrm{D} - U)}{N_\mathrm{A}(\varepsilon_2 N_\mathrm{D}+\varepsilon_1 N_\mathrm{A})}}$

Siehe auch

• High Electron Mobility Transistor (HEMT)
• Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
• Halbleiter
• Galliumarsenid
• Galliumnitrid