Galliumnitrid

Kristallstruktur
__ Ga     __ N
Allgemeines
Name	Galliumnitrid
Verhältnisformel	GaN
CAS-Nummer	25617-97-4
PubChem	117559
Kurzbeschreibung	gelber, geruchloser Feststoff[1]
Eigenschaften
Molare Masse	83,72 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	6,1 g·cm−3[1]
Sublimationspunkt	800 °C[1]
Löslichkeit	unlöslich in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [2] Achtung H- und P-Sätze H: 317 EUH: keine EUH-Sätze P: 280 [2] EU-Gefahrstoffkennzeichnung [1] Reizend (Xi) R- und S-Sätze R: 43 S: 24-37
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche nicht möglich

Galliumnitrid (GaN) ist ein III-V-Halbleiter mit großer elektronischer Bandlücke (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzfeldeffekttransistoren Verwendung findet. Darüber hinaus ist es für Sensorikanwendungen geeignet.

Geschichte

Das Material wurde um 1930 zum ersten Mal synthetisiert und 1969 von Maruska und Tietjen erstmals mittels Hydridgasphasenepitaxie epitaktisch als Schicht aufgewachsen.^[3] 1971 gelang Manasevit, Erdmann und Simpson zum ersten Mal über MOCVD das Wachstum von GaN, was als wichtiger Schritt in der weiteren Entwicklung gelten kann.^[4][5]

Eigenschaften

GaN kristallisiert vorzugsweise in der (hexagonalen) Wurtzit-Struktur, die kubische Zinkblende-Modifikation ist nicht stabil.

Eigenschaft	Wert
Kristallsystem	hexagonal (kubisch)
Farbe	farblos, weiß, grau, gelb
Glanz	Glasglanz
Opazität	durchsichtig bis undurchsichtig
Spaltbarkeit	gut
häufige Kristallorientierung von Substraten	(0001), {1-101}
Brechzahl	ca. 2,5 bei 400 nm
Kristallstruktur	Wurtzit (stabil), Zinkblende, Steinsalz (Hochdruckphase)
Gitterkonstante	Wurtzit: c = 0,5185 nm, a = 0,3189 nm; Zinkblende: a = 0,452 nm
Bandabstand	Wurtzit: 3,39 eV; Zinkblende: 3,2 eV

Herstellung

Das Hauptproblem in der Herstellung von GaN-basierten Bauelementen lag und liegt an der Schwierigkeit, aus GaN große Einkristalle herzustellen, um daraus hochwertige GaN-Wafer zu fertigen. Deshalb muss noch immer auf Fremdsubstrate ausgewichen werden, wobei hauptsächlich Saphir und SiC Verwendung finden. Die Qualität der (heteroepitaktischen) Schichten auf Fremdsubstraten wurde durch die Arbeiten der Gruppe von Akasaki und von Nakamura Ende der 1980er Jahre sehr vorangetrieben. Eine weitere Herausforderung stellt die p-Dotierung des Halbleitermaterials dar, die für fast alle optoelektronischen Bauelemente notwendig ist. Sie gelang erstmals der Gruppe um Akasaki im Jahre 1988, dann 1992 auch Shuji Nakamura mit einem modifizierten Ansatz.^[5]

GaN-Einkristalle werden heute vorwiegend mittels Hydridgasphasenepitaxie (engl. hydride vapor phase epitaxy) hergestellt, das weltweit von einer Handvoll Firmen technologisch vorangetrieben wird. Dabei reagiert zunächst gasförmiger Chlorwasserstoff mit flüssigem ca. 880 °C heißem Gallium zu Galliumchlorid. In einer Reaktionszone wird das Galliumchlorid bei Temperaturen zwischen 1000 und 1100 °C in die Nähe eines GaN-Kristallkeims gebracht. Hier reagiert das Galliumchlorid mit dem einströmenden Ammoniak unter Freisetzung von Chlorwasserstoff zu kristallinem Galliumnitrid. Unter optimalen Bedingungen können mit dem HVPE-Verfahren mittlerweile Kristalle bis zu 50 mm Durchmesser und mit Dicken von einigen Millimetern hergestellt werden.

Einsatzgebiete

Dies führte zur ersten kommerziellen blauen LED die seit 1993 von Nichia vertrieben wird, sowie später zum ersten blauen Halbleiter-Laser (1997, Nichia). Bis dahin basierten blaue LEDs auf dem Material Siliciumcarbid, das als indirekter Halbleiter für eine effiziente Lichtemission schlecht geeignet ist. Mit einem höheren Indium-Anteil in der aktiven Zone der GaInN-Quanten-Filme ist auch grüne und gelbe Lichtemission möglich. Die Effizienz derartiger LEDs sinkt aber zunehmend mit höherem In-Gehalt auf Grund mehrerer physikalischer und chemischer Tatsachen.

Neue Berühmtheit erlangte GaN durch die WiMax-Technologie. Für die hohe Frequenz (3,5 GHz) eignen sich derzeitige Technologien nicht. Neben dem Fremdsubstrat Saphir lässt sich heutzutage GaN auch auf Siliciumcarbid (SiC) und auf Silicium (Si) herstellen. Rein technisch gesehen ist GaN auf SiC, durch die hohe Wärmeleitfähigkeit des SiC, vorteilhaft für Leistungsanwendungen. Im Vergleich zu Silicium sind die Substratkosten für Siliciumcarbid jedoch deutlich höher (etwa 1000 USD pro 4-Zoll-Wafer). Gegenwärtig sind GaN-Transistoren bereits von asiatischen und amerikanischen Firmen kommerziell erhältlich. In Deutschland wird an verschiedenen Instituten und Firmen mit Hochdruck an der Entwicklung von (Al,Ga)N/GaN-Transistoren gearbeitet. Erste Muster im Bereich RF-Power sind seit 2010 von kommerziellen Anbietern aus Deutschland verfügbar. Das Hauptaugenmerk der Entwicklungsarbeiten ist dabei auf die Bauelementzuverlässigkeit gerichtet.

Durch den Einsatz von GaN-basierenden LEDs werden heutige Beleuchtungstechniken revolutioniert werden. Ein erster Schritt dazu ist die seit mehreren Jahren stattfindende Umrüstung von Ampeln auf zuverlässigere und sparsamere LED-Technik welche erst durch die, seit Anfang der 1990er Jahre verfügbaren, grünen GaN basierten LEDs (anstelle von ineffizienten grünen GaP basierten LEDs) ermöglicht wurde und die Einführung von LED basierten Tagfahrlichtern in PKWs. Bei letzterem wird durch den Einsatz blauer LEDs in Kombination mit Phosphoren, sogenannten Lumineszenz-Konvertern, ein weißer Lichteindruck erzeugt. Diese Phosphore wandeln einen Teil des blauen Lichtes in gelbes, und das menschliche Auge empfindet dies als weißes Licht. Durch verbesserte Phosphore, die breitbandiger abstrahlen, bzw. die Kombination mehrerer Phosphore bei verschiedenen Wellenlängen kann ein hochwertiges Weißlicht erzeugt werden, welches auch hohen Anforderungen genügt, d. h., einen hohen Farbwiedergabeindex erzielt. Detailliertere Informationen insbesondere zum Stand der Technik von LEDs finden sich im Artikel zu Leuchtdioden.

Es wurde vorhergesagt, dass sich durch Dotieren mit Übergangsmetallen oder Seltenen Erden, ein bei Raumtemperatur magnetischer Halbleiter realisieren ließe, wie er für die Spintronik von Interesse ist.^[6][7] Der tatsächliche Nachweis von Raumtemperatur-Ferromagnetismus in GaN ist überaus schwierig, da die für die Dotierung in Frage kommenden Elemente meist eine sehr geringe Löslichkeit in GaN aufweisen und daher oft in Form von ferromagnetischen Nanokristallen im GaN Kristall eingebettet werden, welche aufgrund ihrer geringen Größe bei üblichen Röntgenbeugungsexperimenten leicht zu übersehen sind, ihre Gegenwart nur bei hoher Intensität der Röntgenstrahlung, wie sie zum Beispiel mit Synchrotronstrahlung erreicht werden kann, preisgeben. Viele bisherige Berichte von bei Raumtemperatur ferromagnetischem, mit Übergangsmetallen dotiertem GaN lassen sich auf derartige Nanokristalle zurückführen.^[8] Für den oft genannten Fall des GaMnN gilt dieses Argument zwar nur eingeschränkt^[9], im Gegensatz zu Galliumarsenid ist Mangan in GaN jedoch kein Akzeptor sondern eine tiefe Störstelle^[10], das heißt mit einem Niveau in der Nähe der Bandmitte, stellt also selbst keine für die Vermittlung der magnetischen Wechselwirkung in verdünnt magnetischen Halbleitern benötigten Defektelektronen zur Verfügung. Weiters scheint in GaMnN die Wechselwirkung zwischen den Defektelektronen und den Manganionen so stark zu sein, dass erstere an letztere gebunden werden, was das Erreichen der ferromagnetischen Ordnung erschwert.^[11] Dies bedeutet, dass die für Ferromagnetismus bei Raumtemperatur in GaMnN benötigte Konzentration an Defektelektronen deutlich höher ist, als früher angenommen.^[12] Ein möglicher Weg, diese Anforderung zu erfüllen ist es, zusätzlich zu den magnetischen Ionen auch mit Akzeptoren wie Mg zu dotieren, was allerdings wieder neue Herausforderungen, wie die große Aktivierungsenergie von Mg in GaN, mit sich bringt.

Einzelnachweise

1. ↑ ^{a b c d e} Datenblatt Galliumnitrid bei AlfaAesar, abgerufen am 29. Januar 2010 (JavaScript erforderlich).
2. ↑ ^{a b} Datenblatt Gallium nitride bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 2. April 2011.
3. ↑ H. P. Maruska, J. J. Tietjen: Paramagnetic defects in GaN. In: Appl. Phys. Lett.. 15, 1969, S. 327.
4. ↑ H. M. Manasevit, F. M. Erdmann, W. I. Simpson: The use of metalorganics in the preparation of semiconductor materials. IV. The nitrides of aluminum and gallium. In: J. Electrochem. Soc. 118, Nr. 11, 1971, S. 1864–1868.
5. ↑ ^{a b} Norbert H. Nickel, Robert K. Willardson, Eicke R. Weber: Hydrogen in Semiconductors II. In: Semiconductors & Semimetals. 61, Academic Pr. Inc., 1999, ISBN 0127521704 (Google Books).
6. ↑ J. K. Furdyna: Diluted magnetic semiconductors. In: Journal of Applied Physics. 64, Nr. 4, 1988, S. R29–R64. Bibcode: 1988JAP....64...29F. doi:10.1063/1.341700.
7. ↑ T. Dietl: Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors. In: Science. 287, 2000, S. 1019-1022. doi:10.1126/science.287.5455.1019.
8. ↑ T. Dietl: A ten-year perspective on dilute magnetic semiconductors and oxides. In: Nature Materials. 9, 2010, S. 965-974. doi:10.1038/nmat2898.
9. ↑ A. Bonanni, M. Sawicki, T. Devillers, W. Stefanowicz, B. Faina, Tian Li, T. E. Winkler, D. Sztenkiel, A. Navarro-Quezada, M. Rovezzi, R. Jakieła, A. Grois, M. Wegscheider, W. Jantsch, J. Suffczyński, F. D'Acapito, A. Meingast, G. Kothleitner, and T. Dietl: Experimental probing of exchange interactions between localized spins in the dilute magnetic insulator (Ga,Mn)N. In: Phys. Rev. B.. 84, 2011, S. 035206. doi:10.1103/PhysRevB.84.035206.
10. ↑ T. Graf, M. Gjukic, M.S. Brandt, M. Stutzmann, O. Ambacher: The Mn^3+/2+ acceptor level in group III nitrides. In: Applied Physics Letters. 81, 2002, S. 5159-5161. doi:10.1063/1.1530374.
11. ↑ J. Suffczyński, A. Grois, W. Pacuski, A. Golnik, J.A. Gaj, A. Navarro-Quezada, B. Faina, T. Devillers, A. Bonanni: Effects of s,p-d and s-p exchange interactions probed by exciton magnetospectroscopy in (Ga,Mn)N. In: Phys. Rev. B. 83, 2010, S. 094421. doi:10.1103/PhysRevB.83.094421.
12. ↑ T. Dietl: Hole states in wide band-gap diluted magnetic semiconductors and oxides. In: Phys. Rev. B. 77, 2008, S. 085208. doi:10.1103/PhysRevB.77.085208.

Literatur

• Michinobu Tsuda, Motoaki Iwaya, Satoru Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki: Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of nitride semiconductor at high growth rate, epitaxial substrates therefrom, and semiconductor devices using them. Jpn. Kokai Tokkyo Koho, 2006.
• Tosja K. Zywietz: Thermodynamische und kinetische Eigenschaften von Galliumnitrid-Oberflächen. Berlin 2000, ISBN 978-3-934479-10-4

Weblinks

• Properties of GaN, engl.
• Physikalische Daten, Ioffe-Institut St.Petersburg, engl.
• GaN auf SiC
• GaN auf Si