Isamu Akasaki

Isamu Akasaki (jap. 赤崎 勇, Akasaki Isamu; * 30. Januar 1929 in der Präfektur Kagoshima) ist ein japanischer Wissenschaftler, der im Jahr 1989 erstsmals blaue Leuchtdioden, basierend auf dem p-n-Übergang mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid herstellte.^[1] Er erhielt dafür im Jahr 2011 die von der IEEE vergebene Auszeichnung IEEE Edison Medal.^[2]

Isamu Akasaki studierte zunächst bis 1952 Elektrotechnik an der Universität Kyōto, danach folgte die Promotion an der Universität Nagoya. Erste Arbeiten im Bereich der Optoelektronik und Leuchtdioden erfolgten in den späten 1960er und 1970er Jahren, unter anderem bei Firmen wie Matsushita, wo er die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) zur Herstellung von Kristallen aus Galliumnitrid verwendete.^[3] In 1981 und den Folgejahren, wieder an der Universität Nagoya, setzte er die MOVPE zur Herstellung hochreiner Einkristalle aus Galliumnitrid (GaN) auf einem Saphir als Substrat ein. Dieses hochreine GaN konnte er in Folge mit Magnesium n-dotieren, zur p-Dotierung kam Silicium zur Anwendung, so dass er in Summe einen p-n-Übergang mit GaN herstellen konnte, welcher als direkter Halbleiter eine Bandlücke im blau-grünen Farbbereich aufweist. Damit gelang ihm 1989 die Herstellung der ersten effizienten blauen Leuchtdiode.^[4][1] Vorher gab es nur blaue LEDs, die auf dem indirekten Halbleiter Siliciumcarbid basierten. Diese LEDs kamen schon in den 1970ern auf den Markt, konnten sich aber aufgrund der geringen Effizienz nie durchsetzen.

Ausgewählte Auszeichnungen

• 2002 Outstanding Achievement Award (engl. für Gyōseki-shō) von der Japan Society of Applied Physics (JSAP) (Ōyō Butsuri Gakkai)
• 2002 Orden der Aufgehenden Sonne, japanische Auszeichnung für außergewöhnliche Verdienste im zivilen oder militärischen Bereich
• 2009 Kyoto-Preis, im Bereich Optoelektronik
• 2011 IEEE Edison Medal

Einzelnachweise

1. ↑ ^{a b} Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, doi:10.1143/JJAP.28.L2112
2. ↑ IEEE Edison Medal Recipients. IEEE. Abgerufen am 23. Februar 2011.
3. ↑ Isamu Akasaki1 and Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, doi:10.1143/JJAP.45.9001
4. ↑ Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355