Isolierschicht-Feldeffekttransistor
- Isolierschicht-Feldeffekttransistor
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Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-
MOSFET
Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (englisch insulated-gate field-effect transistor, IGFET) ist die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch Ladungsträgerinfluenz (elektrostatische Induktion) über ein vom leitfähigen Kanal elektrisch isoliertes Gate gesteuert wird. IGFETs werden alternativ auch nach der typischen Schichtstruktur (Metall-Isolator-Halbleiter, engl. metal insulator semiconductor, MIS) als MISFETs bezeichnet. Häufig wird IGFET als Synonym für seinen populärsten Vertreter, den MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-FET) benutzt – dies ist in der Entwicklungsgeschichte der Mikroelektronik begründet, bei der Siliziumdioxid auch heute (2010) noch das meistverwendete Material für das Gate-Oxid ist. Die Verwendung eines Oxids für die Isolationsschicht (sei es Siliziumdioxid oder neuere High-k-Materialien wie Hafniumdioxid) ist jedoch nur eine Möglichkeit. Alternative Materialien sind Siliziumnitrid, Polymere (bei neueren auf organischen Halbleitern basierenden Schaltkreisen) oder Kombinationen aus verschiedenen Materialien (beispielsweise Nitrid und Oxid, wie beim Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-FET, MNOSFET).
→ Hauptartikel zur Funktionsweise: Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Literatur
Weblinks
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