Liste elektrischer Bauelemente

Liste elektrischer Bauelemente

Dieser Artikel listet elektrische beziehungsweise elektronische Bauelemente (auch Bauteile genannt) auf, die man für Schaltungen in der Elektrotechnik beziehungsweise Elektronik benötigt.

Verschiedene elektronische Bauelemente

Inhaltsverzeichnis

Grundbausteine

Elektrische Leitungen

Wellenleiter

Elektromechanische Bauelemente

Bauelemente für die Stromversorgung

Bauelemente für die Frequenzerzeugung

Passive Bauelemente

Energiequellen im engeren Sinn

Aktive Bauelemente

Röhren

Diskrete Halbleiter und Leistungshalbleiter

  • Transistoren
    • Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
      • Bipolare Transistoren
        • Bipolartransistor (engl. bipolar junction transistor, BJT)
          • Darlington-Transistor (engl. Darlington transistor bzw. Darlington amplifier)
          • grown-junction transistor (dt. „gezogener Transistor“ auch „Wachstumstransistor“)[1]
          • Mesatransistor (engl. mesa transistor)
          • Legierungstransistor (engl. alloy junction transistor)
            • Mikrolegierungstransistor (engl. micro-alloy transistor, MAT)
            • MAD-Transistor (engl. micro-alloy diffused transistor, MADT)
            • PAD-Transistor (engl. post-alloy diffused transistor, PADT)
            • Schottky-Transistor (engl. schottky transistor)
            • Oberflächensperrschichttransistor (engl. surface barrier transistor)
            • „Transistor mit diffundierter Basis“ (engl. diffused base transistor)
          • Bipolarer Leistungstransistor (engl. bipolar power transistor)
        • Drifttransistor (engl. drift transistor), auch: (drift-field transistor, DFT) oder (graded-base transistor
        • Spitzentransistor (engl. point-contact transistor)
        • heterojunction bipolar transistor (HBT bzw. HBJT)
        • double-heterojunction bipolar transistor (DHBT)
        • tunneling-emitter bipolar transistor
        • Lawinentransistor (engl. avalanche transistor), eigentlich (engl. avalanche bipolar transistor) (ABT)
          • V-groove insulated-gate avalanche transistor (VIGAT)
      • tunneling hot-electron-transfer amplifier (THETA)
        • metal-base transistor
          • metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) transistor
            • metal-oxide metal-oxide-metal (MOMOM) transistor
          • metal-insulator-metal-semiconductor (MIMS) transistor
            • metal-oxide-metal-semiconductor (MOMS) transistor
          • semiconductor-metal-semiconductor transistor (SMST) transistor
          • metal-insulator-p-n (MIp-n) transistor
            • metal-oxide-p-n (Mop-n) transistor
        • hot-electron-transistor (THETA)
      • planar-doped-barrier transistor
        • camel transistor
        • field-effect hot-electron transistor
      • real-space-transfer transistor (RSTT),
        • negative-resistance field-effect transistor (NERFET),
        • charge-injection transistor (CHINT)
      • bipolar inversion-channel field-effect transistor (BICFET).
        • bulk-barrier transistor, bulk unipolar transistor
      • heterojunction hot-electron transistor
      • induced-base transistor
      • resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET)
      • quantum-well-base resonant-tunneling transistor (QWBRTT)
      • Multiemitter-Transistor
      • Spacistor
      • tunnel-emitter transistor, TETRAN),
      • inversion-base bipolar transistor
        • surface-oxide transistor
      • resonant-tunneling bipolar transistor, RTBTIRBT)
    • Feldeffekttransistor (engl. field-effect transistor, FET): Transistoren, die auf einem Feldeffekt basieren
      • Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl. non insulated gate field-effect transistor, NIGFET)
      • Isolierschicht-Feldeffekttransistor (engl. insulated gate field-effect transistor, IGFET)
      • modulation-doped field-effect transistor (MODFET),
        auch bekannt als: high-electron-mobility transistor (HEMT), two-dimensional electron-gas field-effect transistor(TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) oder heterojunction field-effect transistor (HFET)
        • inverted heterojunction field-effect transistor (inverted MODFET)
        • planar-doped (delta-doped, pulse-doped) heterojunction field-effect transistor
        • single-quantum-well heterojunction field-effect transistor, double-heterojunction field-effect transistor (DHFET)
        • superlattice heterojunction field-effect transistor
        • pseudomorphic heterojunction field-effect transistor (PMHFET)
        • heterojunction insulated-gate field-effect transistor (HIGFET)
        • semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor (SISFET)
        • doped-channel heterojunction field-effect transistor
      • permeable-base transistor (PBT)
      • static-induction transistor (SIT)
        • analog transistor (konzentrisch aufgebauter Transistor mit Eigenschaften ähnlich einer Elektronenröhre), siehe auch Spacitor)
        • multi-channel field-effect transistor (McFET)
        • gridistor [4]
        • bipolar-mode static-induction transistor (BSIT)
        • depleted-base transistor (DBT)
      • lateral resonant-tunneling field-effect transistor (LRTFET) [5]
      • Stark-effect transistor
      • velocity-modulation transistor (VMT).
    • Weitere Transistortypen:

Integrierte Schaltkreise (ICs)

Optoelektronische Bauelemente

Aktoren

Sensoren

(außer Photohalbleiter)

Module, Systeme

Siehe auch

Weblinks

Einzelnachweise

  1. ↑ Peter A. Schmitt: Langenscheidt Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Deutsch - Englisch. Langenscheidt Fachverlag, 2004, ISBN 386117233X (Eingeschränkte Vorschau in der Google Buchsuche).
  2. ↑ E. F. Schubert, A. Fischer, K. Ploog: The delta-doped field-effect transistor (dFET). In: Electron Devices, IEEE Transactions on. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632.
  3. ↑ K. K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: Electron Devices, IEEE Transactions on. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766.
  4. ↑ S. Teszner, R. Gicquel: Gridistor—A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502-1513 ([1]).
  5. ↑ S. Y. Chou, Jr. Harris, R. F. W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. 52, Nr. 23, 6. Mai 1988, S. 1982-1984, doi:0.1063/1.99656.

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