Indiumselenid

Kristallstruktur
Keine Kristallstruktur vorhanden
__ In3+     __ Se3−
Allgemeines
Name	Indiumselenid
Verhältnisformel	InSe
CAS-Nummer	1312-42-1
Kurzbeschreibung	schwarze Kristalle[1]
Eigenschaften
Molare Masse	193,78 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Schmelzpunkt	660 °C[1]
Sicherheitshinweise
EU-Gefahrstoffkennzeichnung [2] keine Einstufung verfügbar R- und S-Sätze R: siehe oben S: siehe oben
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

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Indiumselenid (InSe) ist eine chemische Verbindung von Indium und Selen,^[1] ein sogenannter III-VI-Halbleiter. Zu unterscheiden von InSe sind In₂Se₃, In₄Se₃ und In₆Se₇.

Kristallaufbau

Indiumselenid besitzt eine Schichtstruktur (englisch layer compound auch lamellar semiconductor, ähnlich wie Glimmer, und kristallisiert wie Galliumselenid (GaSe) in einem hexagonalen Kristallsystem (dihexagonal-dipyramidal, $\mathrm{D_{6h}^{4}}$). Aus dem schichtförmigen Aufbau ergeben sich zwei Bandübergänge, ein indirekter Bandübergang mit einer Bandabstandsenergie von ca. 1,2 eV und ein direkter Bandübergang mit ca. 2,4 eV.^[3]

Literatur

• R. Clasen, O. Madelung: Semiconductors. Physics of Non-tetrahedrally Bonded Binary Compounds II. In: Landolt-Börnstein numerical data and functional relationships in science and technology. New series. Group III, Crystal and solid state physics. 17, Springer, ISBN 3540121609 (gesammelte Darstellung verschiedener Eigenschaften von InSe, beispielsweise die Bandstruktur, Eingeschränkte Vorschau in der Google Buchsuche).

Einzelnachweise

1. ↑ ^{a b c} Helmut Sitzmann: Indiumselenid. In: Römpp Online - Version 3.5. Georg Thieme Verlag, Stuttgart 2009.
2. ↑ In Bezug auf ihre Gefährlichkeit wurde die Substanz von der EU noch nicht eingestuft, eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
3. ↑ J. V. McCanny, R. B. Murray: The band structures of gallium and indium selenide. In: Journal of Physics C: Solid State Physics. 10, 1977, S. 1211–1222, doi:10.1088/0022-3719/10/8/022.