Indiumnitrid

Kristallstruktur
Allgemeines
Name	Indiumnitrid
Andere Namen	Indium(III)-Nitrid, Indiumstickstoff
Verhältnisformel	InN
CAS-Nummer	25617-98-5
PubChem	117560
Eigenschaften
Molare Masse	128,83 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Sicherheitshinweise
EU-Gefahrstoffkennzeichnung [1] keine Einstufung verfügbar R- und S-Sätze R: siehe oben S: siehe oben
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

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Indiumnitrid (InN) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium und Stickstoff gebildet ist. Potentielle zukünftige Anwendungen dieses Werkstoffes liegen in Kombination von Galliumnitrid im Bereich von Solarzellen.^[2]

Der temperaturabhängige Bandabstand von InN beträgt bei 300 K ca. 0,7 eV und liegt im infraroten Spektralbereich.^[3] In Kombination mit Galliumnitirid lässt sich aus Indiumnitrid der ternäre Verbindungshalbleiter Indiumgalliumnitrid herstellen, dessen Bandlücke durch das Verhältnis der beiden Verbindungshalbleiter über einen sehr weiten Bereich von 0,7 eV bis 3,4 eV im Rahmen des Herstellungsprozesses wählbar ist.

Dünne polykristalline Strukturen von Indiumnitrid zeigen bei Temperaturen unter T_c=3,3 K supraleitende Eigenschaften, die auch unter dem Einfluss von hohen magnetischen Flussdichten bestehen bleiben.^[4]

Einzelnachweise

1. ↑ In Bezug auf ihre Gefährlichkeit wurde die Substanz von der EU noch nicht eingestuft, eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
2. ↑ T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009)
3. ↑ V. Yu. Davydov: Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap, Phys. Stat. Solidi (b) 229 (2002) R1 (engl.)
4. ↑ T. Inushima: Electronic structure of superconducting InN, in Sci. Techn. Adv. Mater. 7, 2006, Seiten 112; doi:10.1016/j.stam.2006.05.009.