Transistor-Gehäuse

Transistor-Gehäuse
Dieser Artikel oder Abschnitt bedarf einer Überarbeitung. Näheres ist auf der Diskussionsseite angegeben. Hilf mit, ihn zu verbessern, und entferne anschließend diese Markierung.

Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Fototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber Umwelteinflüssen, zur weiteren Verarbeitung, zum elektrischen Anschluss und zur Wärmeableitung ein Gehäuse.

Grundsätzlich unterscheidet man bedrahtete Bauteile (Durchsteckmontage, kurz THT von engl. Through Hole Technology bzw. THD von engl. Through Hole Device) und Bauteilgehäuse für Oberflächenmontage (kurz SMT von engl. Surface Mounted Technology bzw. SMD von engl. Surface Mounted Device).

SMDs besitzen Anschlussbeine, die nicht durch die Leiterplatte gesteckt, sondern auf der Oberfläche verlötet werden.

Normen:

Inhaltsverzeichnis

Gehäuse für Durchsteckmontage

Axial-Gehäuse (zwei Anschlüsse)

Verwendet für Dioden, DIACs:

  • DO-35, SC-40, SOD-27, DO-204AH (Glas)
  • DO-41 (Plastik; Dioden mit ca. 0,5…2 A)
    • DO-41 von Renesas = Glas-Gehäuse
  • SOD-57 (Glas; Dioden mit ca. 1 A)
  • DO-15 (1,5…2 A)
  • DO-210AD (Plastik; Dioden mit ca. 3…5 A)
  • DO-201AE (Plastik; häufig für Suppressordioden für Ppp = 1500 W oder Z-Dioden mit Ptot = 5 W)
  • P-6, R-6, P600, DO-204AR (Plastik; Dioden mit ca. 6…8 A)
  • DO-1 (Metallgehäuse mit integr. Kühlrippen) (Semikron)

Runde Metallgehäuse, Anschlüsse an einer Seite

Werden heute selten verwendet, u.a. auch für Fotodioden, erhöhte Umwelt- und Zuverlässigkeits-Anforderungen, Laserdioden.

  • TO-46
    • H02A = TO-46 mit 2 Pins (National)
    • H03H = TO-46 mit 3 Pins (National)
    • H04D = TO-46 mit 4 Pins (National)
  • TO-8
  • TO-9
  • TO-18
  • TO-72 = TO-18 mit vier Pins
  • TO-71 = TO-18 mit sechs Pins
  • TO-5, TO-5AA
    • H06C = TO-5 mit 6 Pins (National)
    • H08C = TO-5 mit 8 Pins (National)
    • H10C = TO-5 mit 6…10 Pins (National)
  • TO-39
  • TO-77 = TO-39 mit sechs
  • TO-78 = TO-39 mit sechs oder acht (?) Pins
  • TO-66
  • TO-3, TO-204

eckige Metallgehäuse (ähnlich TO-220 und TO-247)

  • TO-257 = ähnlich TO-220AB, jedoch im Metallgehäuse
  • TO-254 = ähnlich TO-220AB, jedoch im Metallgehäuse
  • TO-258 = ähnlich TO-218, jedoch im Metallgehäuse
  • TO-259
  • TO-267 = ähnlich TO-218, jedoch im Metallgehäuse

Metallgehäuse mit Gewindebolzen

Werden für Dioden, Thyristoren, Transistoren verwendet; der Gewindebolzen dient zugleich als elektrischer Anschluss und zur Montage auf einer Wärmesenke.

  • DO-4 (2-polig)
  • DO-5 (2-polig)
  • DO-8 (2-polig)
  • DO-9 (2-polig)
  • DO-203AA (2-polig; Gewinde M6)
  • DO-203AB (2-polig; Gewinde M8)
  • DO-205AB (2-polig; Gewinde M16)
  • DO-205AC (2-polig; Gewinde M12)
  • SO-32A, SO-32B (2-polig; Gewinde M8)
  • TO-63 (3-polig)
  • TO-114 (3-polig)
  • TO-208AA, TO-48 (3-polig; Gewinde M6)
  • TO-208AB, TO-64 (3-polig; Gewinde M5)
  • TO-208AC, TO-65 (3-polig; Gewinde M8)
  • TO-209, TO-94 (3-polig; Gewinde M12)
  • TO-209, TO-93 (3-polig; Gewinde M16)
  • TO-209AA (3-polig)
  • TO-209AB (3-polig)
  • TO-209AC (3-polig)
  • TO-209AC, TO-118 (3-polig; Gewinde M24)
  • TO-59 (3-polig)
  • TO-60 (3-polig)
  • TO-61 (3-polig)
  • TO-63 (3-polig)
  • TO-65 (3-polig)
  • TO-83 (3-polig)
  • TO-93 (3-polig)
  • TO-94 (3-polig)

kapselförmige Gehäuse (capsule) oder Puck-Gehäuse

  • TO-200AB (3-polig; Dxh = 41,5x14mm)
  • TO-200AC (3-polig; Dxh = 58x26mm)
  • TO-200AD (3-polig; Dxh = 73x26mm)
  • TO-200AF (3-polig; Dxh = 111x37mm)

Metallgehäuse zum Einpressen

Einpressdioden und -thyristoren besitzen ein zylindrisches, geriffeltes Gehäuuse aus Kupfer mit einem Kragen; sie werden in Kühlkörper eingepresst.

Plastikgehäuse mit und ohne Kühlfahne

TO-92 / SC-43
TO-226 / SC-51
TO-220AB
TO-247AC
TO-218 / TOP-3

(für Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs):

  • TO-92, SC-43, RD-26, NP (Sanyo)
    • TO-92HS = TO-92 mit Kühlflansch
    • E-Line = ähnlich TO-92 (Zetex)
    • MINI = ähnlich TO-92 (Toshiba)
    • SST = ähnlich TO-92 (NEC)
    • TO-226, TO-226AA, SC-51, TO-92 Mod, TO-92L, LSTM (Toshiba), MP (Sanyo) = längere Version von TO-92
    • TO-92S, TO-92M
  • TO-126, TO-225AA
    • TO-126 vollisoliert
  • TO-251, IPAK, PW-MOLD, PW-MOLD2 (Toshiba), DPAK(L)
  • TO-220
    • TO-220AB, SOT78 (3 Pins)
    • TO-220AC, SOD59 (2 Pins)
    • TO-220-4 (4 Pins)
    • TO-220-5 (5 Pins)
    • vollisolierte Version von TO-220AB (JEITA: SC-67)
      • TO-220F (Fairchild, Sanken, Fuji Electric)
      • TO-220FP (ST Microelectronics)
      • TO-220 FULLPACK (ON Semiconductor, International Rectifier)
      • SOT186A (Philips, NXP)
      • TO-220ML (Sanyo)
      • TO-220FI(LS) (Sanyo)
      • FTO-220 (Shindengen)
      • SC-67 (Toshiba)
      • TO-220SIS (Toshiba)
      • TO-220F15 (Fuji Electric)
      • MP-45F (NEC)
      • ISOWATT 220AB
      • TO-220NIS
      • TO-220IS
      • TO-220CFM
    • vollisolierte Sonderbauformen von TO-220
      • ISOPLUS 220LV (IXYS)
      • ITO-220 (Shindengen)
      • SC-87
    • vollisolierte Version von TO-220AC, SOD100, ISOWATT 220AC
    • TO-220IS-4 (4 Pins)
    • TO-220IS-5 (5 Pins)
  • TO-202-1 = ähnlich TO-220AB
  • TO-202-3 = ähnlich I2PAK
  • TO-262, I2PAK, TO-220FL, LDPAK(L) (Renesas)
  • TO-237
  • TO-218 (mit 2 oder 3 Pins)
  • TOP-3 (fast gleich mit TO-218, aber nicht zu verwechseln mit TO-3P)
  • TO-3P, TO-3P(N) Achtung: TO-3P von Microsemi = TO-247 mit 2 Pins; TO-3P von Master Instrument Corp. (MiC) = TO-247AC
Beim TO-3P-Gehäuse gibt es zwei verschiedene Bauweisen, die sich durch den Abstand der Pins zur Rückseite (1,4 mm oder 2,7 mm) unterscheiden.
    • TO-3PF (vollisoliert), TO-3P(N)IS (Toshiba), TO-3PFM (Renesas)
  • TO-3PF von Fairchild (nicht vergleichbar mit anderen TO-3PF)
    • ISOWATT 218 (ST), TO-3P(H)IS (KEC)
  • TO-247, TO-247AC, SOT429
  • TO-247FULLPACK, SOT199
  • TO-264, TO-3PBL, TO-3PL, SOT430, TO-247-JUMBO, TOP3L, TO-3P(L)

Plastikgehäuse zur Flanschbefestigung

Verwendet für große Verlustleistungen, seitliche Löcher zur Schraubbefestigung, Löt-, Steck- oder Schraub-Anschlüsse nach oben. Die wärmeableitende Bodenplatte ist isoliert, die Befestigung dient nicht zugleich als elektrischer Anschluss.

  • SOT-227, ISOTOP
  • Sonderhäuse div. Hersteller (z.B. von Semikron)

Plastikgehäuse für Gleichrichter

  • GBU
  • KBU
  • Dual in-line package (DIL, d.h. zweireihige Pins)
    • DF-M (Fagor; Form einen 6pol. DIL-Gehäuses, jedoch mit 4 Pins)
  • Einreihige Pin-Anordnung (SIL von engl. Single in Line)
    • Rastermaß 4 mm (Fagor)
    • Rastermaß 5 mm (Fagor)
  • runde Gehäuse
    • Durchmesser 9,5mm (C800-, C1000-, C1500-Typen; für ca. 0,8…1,5 A) (Fagor)
  • eckige Gehäuse mit zentralem Loch für M5-Schraube
    • 28,6x28,6x7,6mm mit THT-Pins (Drähten) oder Flachsteckern (für 10…35 A; Fagor & Semikron)

DIL-Plastikgehäuse mit über vier Pins

DIL-14
  • DIL
    • CERDIP (Keramikgehäuse)
    • TO-116 = 14-poliges DIP

Gehäuse für Oberflächenmontage

    • Zylinderform, Glas, Anschlüsse = Endkappen:
      • MicroMELF
      • MiniMELF, SOD-80, SOD-80C, LL-34
      • MELF, DO-213AB, LL-41
    • zwei Anschlüsse, Plastik:
      • DO-214AC, SMA
      • DO-214AA, SMB
      • DO-214AB, SMC
      • LL-34, SMD-Version DO-35, MiniMELF
      • SOD-123
      • SOD-323
      • SOD-523
      • SOD-80
SOT-23
TO-263 (D2PAK) mit 4 Pins
TO-263 (D2PAK) mit 3 Pins
    • 3 bzw. 4 Pins:
      • SC-75, SSM (Toshiba)
      • SOT-23, TO-236, SC-59, S-MINI (Toshiba), MPAK (Renesas), CP (Sanyo), Mini3-G1 (Panasonic)
        • SOT23-5
        • SOT23-6
      • SOT-89, SC-62, UPAK (Renesas), PW-Mini (Toshiba), MPT3 (Rohm), PCP (Sanyo), Mini3P-F2 (Panasonic)
      • SOT-223
      • SOT-323, SC-70, USM (Toshiba)
      • TO-252, DPAK, SC-63, DPAK(S) (Renesas)
      • TO-263, D2PAK, SC-83, TO-220SM, LDPAK(S) (Renesas), SMD-220, SOT-404


    • vier oder mehr Pins:
      • SO, SOIC, SOP
      • MSOP 2fach achsensymmetrisches IC-Gehäuse; 0,65 mm Beinabstand (Pitch) (JEDEC Spezifikation MO-187-AA)
      • PSOP 2fach achsensymmetrisches IC-Gehäuse mit zentralem Masse- / Wärmekontakt; 1,27 mm Pitch (National)
      • SSOP
      • TSSOP
      • LFPAK, SC-100

Gleichrichter

  • MBS (Fagor)

Siehe auch

Quellen

Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, NXP Semiconductors (früher Philips Semiconductor), ST Microelectronics, Toshiba, Central Semiconductor, Microsemi, International Rectifier, NEC, Renesas, Fagor, Semikron, Semelab, KEC, Sanken, Sanyo

Weblinks


Wikimedia Foundation.

Игры ⚽ Поможем написать реферат

Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:

  • Transistor — Eine Auswahl an diskreten Transistoren in verschiedenen Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen, ohne dabei mechanische Bewegungen auszuführen. Transistoren sind die… …   Deutsch Wikipedia

  • Transistor-Typ-Gehäuse — tranzistorinis korpusas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. transistor outline package vok. Transistor Typ Gehäuse, n rus. корпус транзисторного типа, m pranc. boîtier type transistor, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • transistor-outline package — tranzistorinis korpusas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. transistor outline package vok. Transistor Typ Gehäuse, n rus. корпус транзисторного типа, m pranc. boîtier type transistor, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …   Deutsch Wikipedia

  • NPN-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …   Deutsch Wikipedia

  • PNP-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …   Deutsch Wikipedia

  • Dioden-Gehäuse — Dieser Artikel oder Abschnitt bedarf einer Überarbeitung. Näheres ist auf der Diskussionsseite angegeben. Hilf mit, ihn zu verbessern, und entferne anschließend diese Markierung. Halbleiter Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs …   Deutsch Wikipedia

  • Halbleiter-Gehäuse — Dieser Artikel oder Abschnitt bedarf einer Überarbeitung. Näheres ist auf der Diskussionsseite angegeben. Hilf mit, ihn zu verbessern, und entferne anschließend diese Markierung. Halbleiter Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs …   Deutsch Wikipedia

  • MOSFET-Gehäuse — Dieser Artikel oder Abschnitt bedarf einer Überarbeitung. Näheres ist auf der Diskussionsseite angegeben. Hilf mit, ihn zu verbessern, und entferne anschließend diese Markierung. Halbleiter Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs …   Deutsch Wikipedia

  • boîtier type transistor — tranzistorinis korpusas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. transistor outline package vok. Transistor Typ Gehäuse, n rus. корпус транзисторного типа, m pranc. boîtier type transistor, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”