Galliumantimonid

Kristallstruktur
Zinkblendetyp[1]: __ Ga3+     __ Sb3−
Allgemeines
Name	Galliumantimonid
Verhältnisformel	GaSb
CAS-Nummer	12064-03-8 50789-88-3
PubChem	6335277
Kurzbeschreibung	geruchloser schwarz grauer metallisch glänzender Feststoff[2][3]
Eigenschaften
Molare Masse	191,48 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	5,61 g·cm−3 [1]
Schmelzpunkt	712 °C[4]
Löslichkeit	unlöslich in Wasser[2]
Brechungsindex	3,8[5]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [6] Achtung H- und P-Sätze H: 302-332-411 EUH: keine EUH-Sätze P: 273 [6] EU-Gefahrstoffkennzeichnung aus RL 67/548/EWG, Anh. I [7] Gesundheits- schädlich Umwelt- gefährlich (Xn) (N) R- und S-Sätze R: 20/22-51/53 S: (2)-61
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. Brechungsindex: Na-D-Linie, 20 °C

Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche vorhanden

Der Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) ist ein direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,726 eV (300 K).^[8] Er besteht aus den Elementen Gallium (Ga) und Antimon (Sb).

Gewinnung und Darstellung

Galliumantimonid kann durch Zusammenschmelzen äquivalenter Mengen Gallium und Antimon in einer indifferenten Atmosphäre gewonnen werden.^[3]

Eigenschaften

Wie bei den meisten III-V-Halbleitern ist die Kristallstruktur die Zinkblende-Struktur, die Gitterkonstante beträgt 6,09593 Ångström, dies entspricht 3,53·10²² Atome/cm³.^[1]

Anders als die meisten anderen Halbleiter ist es nicht möglich, Galliumantimonid semiisolierend herzustellen. Nominell undotiertes Galliumantimonid hat nämlich eine natürliche p-Leitfähigkeit (10¹⁶ bis 10¹⁷ cm^-3).^[4] Der natürliche Akzeptor ist noch Thema aktueller Diskussion. Als dessen Ursache wird eine Gallium-Leerstelle bzw. ein Gallium-Leerstellenkomplex oder ein Galliumatom auf einem Antimon-Gitterplatz für möglich gehalten. Galliumantimonid ist diamagnetisch.^[3]

Verwendung

GaSb ist für die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, wie z. B. Laserdioden mit geringer Schwellspannung, Photodetektoren mit hoher Quanteneffizienz oder Hochfrequenzbauelemente, von zunehmender Bedeutung.

Einzelnachweise

1. ↑ ^{a b c} GaSb - Basic Parameters at 300 K
2. ↑ ^{a b} Material Safety Data Sheet: Gallium Antimonide
3. ↑ ^{a b c} Georg Brauer: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie Band II, Ferdinand Enke Verlag, Stuttgart 1978, ISBN 3-432-87813-3, S. 862.
4. ↑ ^{a b} GaSb - Thermal and mechanical properties
5. ↑ GaSb - Optical properties
6. ↑ ^{a b} Datenblatt Gallium antimonide bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 2. April 2011.
7. ↑ Nicht explizit in RL 67/548/EWG, Anh. I gelistet, fällt aber dort mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Sammelbegriff „Antimonverbindungen“; Eintrag in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 31. März 2009 (JavaScript erforderlich)
8. ↑ Optical Storage Medium Comprising a Mask Layer with a super Resolution Near Field Structure