Immersionslithografie

Bei der Immersionlithographie, durchquert das Licht von oben ein System von Linsen (1.) und einen dünnen Flüssigkeitsfilm (2.; im Beispiel Wasser) bevor es den Fotolack auf der Oberseite des Wafers (3.) erreicht.

Die Immersionslithografie ist eine Technik zur Verbesserung der optischen Abbildung von fotolithografischen Systemen in der Halbleitertechnik. Dabei wird der bei konventionellen Projektionssystemen vorhandene Luftspalt zwischen der letzten Linse und der Wafer-Oberfläche durch ein flüssiges Medium ersetzt. Dieses Immersionsflüssigkeit genannte Medium hat einen größeren Brechungsindex als Luft (n_Luft ≈ 1). Durch diese Änderung erhöht sich die numerische Apertur (NA) des Abbildungsapparats und somit dessen Abbildungstiefe (engl. depth of focus, DOF) bzw. minimale Auflösung, das heißt das kritische Maß (engl. critical dimension, CD) oder das kleinste Halbraster (engl. minimum half-pitch). Die Immersionslithografie erlaubt es die derzeit (Stand 2011) in der Produktion von mikroelektronischen Schaltkreisen üblichen Lithografiesysteme auf Basis von ArF-Excimerlaser weiterhin zu nutzen und dennoch höhere Auflösungen bis zu 28 nm zu erzielen.

Geschichte

Die Verbesserung der Auflösung optischer Systeme durch den Einsatz von Immersionsflüssigkeiten ist seit langer Zeit aus dem Bereich der Mikroskopie bekannt. Sie haben einen . Der im Vergleich zu Luft größere Brechungsindex (n > n_Luft ≈ 1) bewirkt eine Vergrößerung der numerischen Apertur des optischen Systemen und somit größere Abbildungstiefe sowie eine Verbesserung des Auflösungsvermögens. Der Einsatz von Immersionstechniken in der Fotolithografie wurde erstmals Ende der 1980er Jahre erwogen und dessen technische Umsetzung seit Anfang der 2000er-Jahre stärker verfolgt. Ausgangspunkt war die Erkenntnis, dass die konventionellen „trockenen“ Lithografiesysteme, das heißt konventionelle Systeme ohne Immersionsmedium, in absehbarer Zeit nicht mehr in der Lage sein werden, die benötigten Auflösungen bereitzustellen. In diesem Zusammenhang war die Immersionslithografie ein aussichtsreicher Kandidat, um auch weiterhin die Skalierung von mikroelektronischen Schaltkreisen fortzuführen.

Erste Demonstrationsversuche mit der Immersionslithografie wurden in den folgenden Jahren (2003/2004) für HeCd-, Nd:YAG- und ArF-Lasersystemen (entsprechend den Wellenlängen 442 nm, 213 nm bzw. 193 nm) vorgestellt.^[1] Zum damaligen Zeitpunkt wurden (trockene) ArF-Scanner mit 193 nm Wellenlänge bereits in der industriellen Produktion eingesetzt und auch die Entwicklung von Immersions-ArF-Scannern kam schnell voran. Dazu trugen unter anderem die relativ geringen technischen Anpassungen bei, die notwendig waren, um bestehende „trockene“ Systeme in Immersionssysteme umzubauen. Dies erforderte zwar eine Teilneukonstruktion entsprechender Anlagen, der Aufwand war jedoch deutlich geringer als die Einführung von Fluor-Excimerlasersystemen (157 nm Wellenlänge) oder alternativer Verfahren wie der EUV-, Röntgen- oder Elektronenstrahllithografie, da bei diesen die bisher verwendeten Fotolacke und Laseroptiken nicht mehr genutzt werden können. So wurde bereits Anfang 2004 von der Firma ASML ein vollwertiger ArF-Immersionscanner für die Massenproduktion vorgestellt. Der Einsatz der Immersionsscanner begann mit der Einführung des 55-nm-Technologieknotens durch mehrere Hersteller von Flashspeichern.^[1] Die Kosten für industrielle Immersionslithografiesysteme sind stark abhängig vom Hersteller, sie betrugen 2010 ca. 30 Mio. USD für Nikons NSR-S620D-Anlagen^[2] und 55 Mio. USD für ASMLs TwinScan-NXT:1950i-Anlagen^[3].^[4]

Funktionsweise

Die mit einem optischen System minimal erreichbare Auflösung R kann durch folgende Gleichung beschrieben werden:

$R = k_1 \frac{\lambda_0}{n \cdot \sin \theta}$

mit dem Auflösungskoeffizent k₁ (eine Prozesskonstante), der Vakuum-Wellenlänge für die Belichtung λ₀, dem Brechungsindex vom einfallenden Medium n und dem Öffnungswinkel der Linse θ. Das Produkt aus $n \cdot \sin \theta$ wird auch als numerische Apertur (NA) des Abbildungssystems bezeichnet. Der Koeffizient k₁ ist abhängig vom genutzten Belichtungsprozess und wird über die Belichtungsbedingungen, der Maskentechnik und den Eigenschaften des Fotolacks bestimmt. Dieser Wert konnte durch zahlreiche Verbesserungen (Lackchemie, usw.) in den letzten Jahrzehnten von ca. 0,8 bis auf 0,38 gesenkt werden.^[1]

In der Vergangenheit wurde die Auflösung durch die Reduzierung der Belichtungswellenlänge (von den Emissionslinien einer Quecksilberdampflampe h und i über KrF-Excimerlaser zu ArF-Excimerlaser also von 434 nm, 365 nm, 248 nm bis hin zu 193 nm), der Verbesserung der Fotolackeigenschaften oder den Einsatz neuer Belichtungstechniken erreicht.^[1] Eine weitere Reduzierung der Wellenlänge (F₂-Excimerlaser, 157 nm) ist jedoch nicht ohne weiteres möglich, da in diesem Spektralbereich viele der bisher verwendeten Materialien nicht mehr ausreichen transparent sind. Die Entwicklung ist daher aufwendig und kostenintensiv. Aus diesem Grund wurde ebenfalls nach alternativen Verfahren gesucht.

Es ist erkennbar, dass die Fähigkeit eines optischen Systems Strukturen abzubilden, auch indirekt proportional zur numerische Apertur der bildgebenden Geräte ist. Sie beträgt bei „trocken“ Fotolithografiesystemen maximal 1 (theoretischer Wert, reale Spitzenwerte liegen bei ca. 0,95). Da es unmöglich ist, eine Auflösung durch stärkere Brechung (mit der Linse) weiter zu erhöhen, kann eine zusätzliche Auflösung nur durch den Austausch der Luft (n_Luft ≈ 1) zwischen Linse und Wafer durch ein Immersionsmedium mit höherem Brechungsindex erreicht werden, beispielsweise hochreinem Wasser. Die Unschärfe wird dabei um einen Faktor gleich dem Brechungsindex des Mediums reduziert, beispielsweise beträgt der Brechungsindex für das Immersionsmedium Wasser im ultravioletten Licht (193 nm Wellenlänge) 1,47.

Die Verbesserung der Auflösung beträgt im Vergleich zu gleichartigen trockenen Systemen ca. 30–40 % (je nach verwendeten Materialien). Die Tiefenschärfe oder Toleranz in der Ebenheit der Wafer-Topographie, ist ebenfalls ungefähr um den Faktor 2 besser.

Technischer Aufbau

Der technische Aufbau von modernen Immersionslithografieanlagen entspricht im Wesentlichen dem trockener Fotolithografiesystemen auf Basis von 193-nm-Excimerlasern. Dazu gehören die Laserquelle, ein Kondensorlinsensystem, Maskenhalterung, die Fokussierungsoptik sowie der Probentisch auf dem der Wafer platziert wird. Der wesentliche Unterschied zu trockenen Lithografiesystemen ist, dass bei der Immersionslithografie eine Immersionsflüssigkeit zwischen dem Wafer und dem Linsensystem gehalten werden muss. Für die technische Umsetzung dieser Aufgabe gibt es zwei grundlegende Ansätze: die Benetzung des gesamten Wafers (engl. stage immersion, also dem Eintauchen des Wafers in die Flüssigkeit, oder wafer immersion) oder die lokale Benetzung mit der Immersionsflüssigkeit (engl. local delivery).

Heutige Anlagen nutzen ausschließlich die lokale Benetzung, da sie auffgrund kürzer Benetzungs- und Entfernungszeiten deutlich schneller arbeiten können. Dazu wird in der Regel ein Wasserresservoir in der Umgebung der Linse aufgebaut. Der zugehörige Adapter (im Englischen oft als showerhead, ‚Duschkopf‘, bezeichnet), der nur wenige Mikrometer über dem Wafer schwebt, hält dieses Reservoir während der Belichtung stabil und ermöglicht sowohl eine schnelle Benetzung als auch eine schnelle Entfernung der Flüssigkeit. Damit die Flüssigkeit nicht seitlich abfließen kann oder mit der Waferbewegung auf dem Wafer verbleibt, wird am Rand des Adapters ein feiner Luftschleier (engl. air curtain) aufgebaut.

Für die Stabilität des Flüssigkeitsreservoirs sind weiterhin die Scan-Geschwindigkeit, mit der ein Wafers relativ zum Linsensystem bewegt wird, und die dynamischen Kontaktwinkel (Be- und Entnetzungswinkel, auch Fortschreit- und Rückzugsrandwinkel genannt) wichtig. Sie beeinflussen unter anderem den möglichen Flüssigkeitsverlust vielmehr durch Wegzeihen des Flüssigkeitsfilms oder Instabilitäten bei der Benetzung. Bei Flüssigkeitsverlusten durch einen weggezogenen Tropfen handelt es sich um Verluste durch einen dünnen Flüssigkeitsfilm hinter dem Immersionsadapter. Sie werden häufig bei niedrigen Geschwindigkeiten und Systemen mit sehr niedrigem Entnetzungswinkel beobachtet, das heißt im Fall von Wasser bei hydrophilen Oberflächen. Im anderen Fall treten Flüssigkeitsverluste auf wenn die Oberflächenspannung nicht ausreicht um die Trägheitskräfte (aufgrund des zurückweichenden Meniskus) zu überwinden. Diese Fehler treten vor allem bei hohen Geschwindigkeiten und höheren Benetzungswinkel auf, im Fall von Wasser bei hydrophoberen Oberflächen. Für typische Scan-Geschwindigkeiten von 500 mm/s – für bis zu 150 Wafer pro Stunde und Anlage – sollte der Entnetzungswinkel im Bereich 70° und höher liegen. Typische „trockene“ 193-nm-Fotolacke haben Entnetzungswinkel im Bereich von 43 bis 53°. Aus diesen und anderen Gründen, z. B. Schutz der Fotolackschicht vor chemischen Angriffen (vgl. unten), werden entweder andere Fotolacke oder hydrophobere Schutzschichten auf der Fotolackoberseite genutzt.^[1]

Immersionsmedium

Hochreines Wasser (n_{Wasser, 193 nm} ≈ 1,47) ist seit Beginn der Forschung eines der hauptsächlich verwendeten Immersionsflüssigkeiten. Es ist auch das bislang einzige Immersionsmedium, das in der industriellen Produktion zum Einsatz kommt. Neben Wasser (1. Generation) sind derzeit auch noch weitere Flüssigkeiten mit höherem Brechungsindex (bis zu n = 1,8) in der Forschung bzw. in der Erprobung. Zu den Immersionsflüssigkeiten der zweiten Generation gehören homogene organische Flüssigkeiten, beispielsweise Perfluorpolyether (PFPE). Ihr Brechungsindex liegt im Bereich um 1,65, was nochmals eine Steigerung von ca. 14 % entspricht. Ähnlich wie bei den Linsenmaterialien ist auch bei den Immersionsflüssigkeiten eine niedrige Temperaturabhängigkeit des Brechungsindex 8 (auch als thermo-optischer Koeffizient dn/dT bezeichnet) und ein niedriger Absorptionskoeffizient (α < 0,15 cm⁻¹) im UV-Bereich wichtig. Andernfalls kommt es zu Intensitätsunterschieden zwischen den Strahlanteilen in Abhängigkeit von der Wegstrecke im Immersionsmedium sowie zu größeren Änderungen im Fokus bei längerem Betrieb aufgrund von Temperatur- und den damit verbundenen Brechzahländerungen. Zusätzlich können Absorptionen durch das Immersionsmedium auch zu Strahlenschäden (Zersetzung, chemische Reaktionen mit dem Resist bis hin zur Blasenbildung) desselben führen. Diese Effekte wirken sich negativ auf den Gesamtprozess aus und sind nur in gewissen Grenzen korrigierbar. Weitere interessante Eigenschaften sind daher auch eine hohe Wärmekapazität und eine gute Wärmeleitfähigkeit. Viele organische Flüssigkeiten weisen jedoch durch ungebundene Elektronen oder Elektronen in π-Molekülorbitalen hohe Absorptionskoeffizienten bei 195 bzw. 157 nm auf und die Suche nach passenden Materialien gestaltet sich daher schwierig.^[1]

Um noch höhere Brechungsindizes zu erzielen und so zu möglichen hochbrechenden Linsen wie Lutetium-Aluminium-Granat (LuAG) aufzuschließen, müssen jedoch andere Lösungen gefunden werden, denn es sind keine homogenen Flüssigkeiten mit Brechungsindizes über 1,8 bekannt. Daher erforscht man derzeit die dritte Generation von Immersionsflüssigkeiten, bei denen es sich um Suspensionen von Nanopartikel (z. B. aus 5 nm großen sphärischen Partikeln aus LuAG oder Zirconiumoxid) von hochbrechenden Materialien in organischen Flüssigkeiten handelt.^[5] Insgesamt ist der Gewinn hinsichtlich der Erhöhung der numerischen Apertur durch hochbrechende Immersionsflüssigkeiten (2. und 3. Generation) verhältnismäßig gering und die die Forschung war bereits im Jahr 2008 hinter dem eigentlichen Zeitplan der Industrie zurückgefallen.^[6] Ihr Einsatz in der Industrie ist daher ungewiss.

Problemstellungen beim Einsatz in der Massenproduktion

Die wichtigsten Hindernisse für die Nutzung von Immersionslithografiesystemen sind Defekte und anderen möglichen Quellen für eine verringerte Ausbeute (englisch yield) von Mikrochips auf einem Wafer gewesen. Frühe Studien konzentrieren sich auf die Beseitigung von Blasen, Temperatur- und Druckschwankungen in der Immersionsflüssigkeit sowie die Absorption der Flüssigkeit durch den Fotolack.^[7] Immanente Defekte der Immersionslithografie wurden identifiziert.^[8] Die Reduktion der Partikelerzeugung durch die Wasserausgabeeinheit wurde gefunden, um die Häufigkeit von Fehlern zu verringern. Des Weiteren hat sich gezeigt, dass Wasser Säure aus Fotolack extrahiert.^[9] Besonders die fotoaktiven Stoffe, die als zur Erzeugung der Säure genutzt werden (engl. photoacid generators, PAGs), gehen vom Lack in das Immersionsmedium Wasser über. Dies muss verhindert werden, um eine Schädigung der Objektivlinse durch die Säure oder durch Verunreinigungen zu vermeiden. Allerdings wird angenommen, dass die Diffusion von Verunreinigungen durch Wasser viel geringer ist als durch Luft. So dass aus diesem Blickwinkel die Immersionslithografie bevorzugt wird.

Darüber hinaus ist bekannt, dass das eingesetzte UV-Licht mit der einer Wellenlänge von 193 nm Wasser ionisieren kann.^[10] Dabei entstehen solvatisierte Elektronen, die sich im Fotolack ausbreiten, mit diesem reagieren und so die Auflösungsleistung beeinflussen.

Die oben genannten Bedenken hinsichtlich möglicher Defekte haben zu Überlegungen über den Einsatz einer Deckschicht direkt auf dem Fotolack geführt. Diese Deckschicht verhindert die Diffusion von Wasser und PAG zwischen dem flüssigen Medium und dem Fotolack. Darüber hinaus wurde die Grenzfläche zwischen der Flüssigkeit und der Deckschicht hinsichtlich der Reduzierung von Wasserzeichen optimiert. Beim Einsatz einer Deckschicht muss natürlich eine mögliche Defekterzeugung durch die Deckschicht ausgeschlossen bzw. vorgebeugt werden.

Bei Scan-Geschwindigkeiten moderner Scanner in der Hochvolumenproduktion von ungefähr 500 mm/s, ist die tatsächliche Fotolack-Wasser-Kontaktzeit im Bereich der Belichtung minimal. Daraus ergeben sich folgende Hauptanliegen: zum einen Defekte durch Wasserreste (Bildung von Wasserzeichen) und zum anderen ein Verlust der Resist-Wasser-Haftung (Bildung eines Luftspalts). Dabei sind die Hydrophobie der Oberfläche und die Art der Wasserzuführung bzw. -abführung die wichtigsten Aspekte, die bei der technischen Umsetzung beachtet werden müssen. Ein weiterer Bereich, in dem Defekte verstärkt auftreten können, ist der Scheibenrand, wo das Wasser eine „Kehrtwende“ (Rücklauf) macht und dabei Defekte (Partikel) vom Waferrand und der Waferrückseite aufnehmen kann.

Generell wird in der Halbleitertechnik eine neue Technik nur in der Fertigung umgesetzt, wenn die Defektkonzentration ein Niveau erreicht hat, das vergleichbar mit ähnlichen Techniken ist, in dem Fall der „trockenen“ Lithographie.

Aktueller und zukünftiger Einsatz

Polarisationseffekte bei der Immersionslithografie. Für Abstände bei denen die Immersionslithografie relevant ist, beeinflusst die Polarisation des eingesetzten Lichts die Intensität innerhalb des Fotolack. Dieses Beispiel ist für einen Half-Pitch von 56 nm.

ASML, Nikon und Canon sind derzeit die einzigen kommerziellen Anbieter von Immersionslithografiesystemen für die Produktion. Eingesetzt werden die Systeme seit ca. 2007 von größere Halbleiterunternehmen für die Fertigung in der 45-nm-Technik und darunter, wie IBM, Globalfoundries (die ehemalige Fertigungssparte von AMD), UMC, Toshiba und Texas Instruments. Entsprechende Produkte sind beispielsweise bei AMD Athlon II und Fusion. Intel begann hingegen erst im Jahr 2009 die Immersionslithografie für seine Produkte in 32-nm-Technik einzusetzen, beispielsweise Intel Core i7 (Westmere).^[11] Auch die Fertigung von 22-nm-Produkten und darunter wird mit hoher Wahrscheinlichkeit noch die Immersionslithografie für die kritischen Ebenen im Middle-of-Line erfolgen.^[12][13][14] Dies ist allerdings davon abhängig, wie schnell sich alternative Verfahren wie die EUV-Lithografie entwickeln bzw. überhaupt bereitstehen.^[15]

Derzeit wird untersucht welche Verbesserungen notwendig sind, damit die Technik auch nach dem 32-nm-Knoten eingesetzt werden kann. Dazu gehören unter anderem der Einsatz von Materialien mit einem höheren Brechungsindex als die der derzeit eingesetzten Materialien. Dies betrifft zum einen die letzte Linse (Objektivlinse) bei der über den Einsatz von Lutetium-Aluminium-Granat (LuAG, Brechungsindex von 2,14 bei 193 nm) statt Siliciumdioxid nachgedacht wird und zum anderen die Immersionsflüssigkeit (Ersetzung von Wasser) sowie dem Fotolack selbst. Der Grund hierfür ist, dass der niedrigste Brechungsindex dieser drei Komponenten die numerische Apertur des Abbildungssystems maßgeblich bestimmt. Dabei können mit höher brechenden Materialien eine höhere numerische Apertur und somit eine bessere Auflösung kleiner Strukturierung erreicht werden. Diese neuen Entwicklungen erlauben die optische Auflösung von ungefähr 30 nm. Es ist jedoch zu erwarten, dass unterhalb von 40 nm aktuelle Fotolacke eine weitere Skalierung behindern.^[16] Weitere Probleme sind Polarisationseffekte^[17], Doppelbrechung und temperaturabhängige Dispersion im optischen System.

Der Einsatz der Immersionslithografie mithilfe eines F₂-Excimerlasers (157,67 nm) könnte höhere Auslösungen ohne den Einsatz hochbrechender Materialien ermöglichen. Die Umsetzung der 157-nm-Lithografie, die Mitte der 2000er Jahre noch als hoffnungsvoller Kandidat für den Ersatz damaliger trockener 193-nm-Anlagen angesehen wurde, gestaltete sich aber bislang schwieriger als gedacht. Als Herausforderungen bei der Technologieentwicklung stellten sich unter anderem die Suche nach neuen Fotolacken und Linsenmaterialien. Die Suche nach neuen und für die 157-nm-Technik passenden Fotolacke wird vor allem durch das Absorptionsverhalten typischerweise eingesetzter organischer Moleküle behindert. So absorbieren Phenol- und Carbonsäuregruppen sehr gut UV-Licht mit einer Wellenlänge von 157 nm, so dass das Licht nicht ausreichend tief in die Fotolackschicht eindringen kann. Dasselbe Problem besteht bei (hochbrechenden) Materialien für Linsen und Immersionsflüssigkeiten. So liegt die Wellenlänge der 157-nm-UV-Strahlung in der Nähe des Bandabstands typischer Linsenmaterialen. Dies hat unter anderem einen für transparente Optiken vergleichsweise hohen Absorptionskoeffizient zur Folge. Bei hochbrechenden Immersionsflüssigkeiten ist das Problem fast noch deutlicher, so steigt beispielsweise für Perfluorpolyether (PFPE) der Brechungsindex von 0,1–0,6 cm⁻¹ bei 193 nm auf 6–19 cm⁻¹ bei 157 nm.^[18] Für den industriellen Einsatz sind daher bislang keine passenden Materialien gefunden worden.^[1]

Auf der anderen Seite ermöglichen Techniken wie layout regularity sowie optical proximity correction (OPC, deutsch etwa: optische Nahbereichskorrektur). Denn für größere Zusatzstrukturen zur Verbesserung der Abbildungsqualität, wie hammerheads (dt. ‚Hammerköpfe‘) ist schlicht nicht mehr genug Platz auf der Fotomaske.

Weblinks

• Kent Snodgrass: Box 1: Immersions Lithography. (vereinfachte graphische Darstellung eines Immersionslithografiesystems aus dem Artikel von Gary Stix: Shrinking Circuits with Water. In: Scientific American. 293, 2005, S. 64-67, doi:10.1038/scientificamerican0705-64.).

Einzelnachweise

1. ↑ ^{a b c d e f g} Daniel P. Sanders: Advances in Patterning Materials for 193 nm Immersion Lithography. In: Chemical Reviews. 110, Nr. 1, 2010, S. 321–360, doi:10.1021/cr900244n.
2. ↑ Kazuhiro Hirano, Yuichi Shibazaki, Masato Hamatani, Jun Ishikawa, Yasuhiro Iriuchijima: Latest results from the Nikon NSR-S620 double patterning immersion scanner. Taipei, Taiwan 2009, S. 75200Z-75200Z-12, doi:10.1117/12.837037 (Enthält ein paar interessante Grafiken zum prinzipiellen Aufau solcher Lithografiesysteme).
3. ↑ TwinScan NXT:1950i. ASML, abgerufen am 5. September 2011 (Produktseite). 
4. ↑ Mark LaPedus: Inside Intel's litho strategy at 22-nm. EE times, 18. März 2010, abgerufen am 5. September 2011. 
5. ↑ S. Jahromi, L. Bremer, R. Tuinier S. Liebregts: Development of Third Generation Immersion Fluids Based on Dispersion of Nanoparticles. In: 5th international Symposium on immersion lithography extensions. 22.–25. September 2009.
6. ↑ Soichi Owa, Toshikazu Umatate: High Index Lithography (HIL) Progress and Plans. 2008 SEMATECH Litho Forum, Bolton Landing 14. Mai 2008.
7. ↑ M. Switkes, R. R. Kunz, M. Rothschild, R. F. Sinta, M. Yeung, S.-Y. Baek: Extending optics to 50 nm and beyond with immersion lithography. In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 21, Nr. 6, 2003, S. 2794, doi:10.1116/1.1624257.
8. ↑ U. Okoroanyanwu, J. Kye, N. Yamamoto, K. Cummings: Defectivity in water immersion lithography. In: Microlithography World. 14, Nr. 4, 2005, S. 4–7.
9. ↑ J. Christopher Taylor, Charles R. Chambers, Ryan Deschner, Robert J. LeSuer, Willard E. Conley, Sean D. Burns, C. G. Willson: Implications of immersion lithography on 193-nm photoresists. Santa Clara, CA, USA 2004, S. 34–43, doi:10.1117/12.535875.
10. ↑ Akyhiro Iwata, Nobuaki Nakashima, Yasukazu Izawa, Chiyoe Yamanaka: One-photon ionization of liquid water upon 193 nm laser irradiation. In: Chemistry Letters. 22, Nr. 11, 1993, S. 1939–1940, doi:10.1246/cl.1993.1939.
11. ↑ Mark Bohr: Intel 32nm Technology. In: Logic Technology Development, 10. Februar 2009. (Vortragsfolien, PDF).
12. ↑ DFM, Design Restrictions Enable Double Patterning. Semiconductor International, 12. Januar 2007.
13. ↑ Mark LaPedus: SPIE: Intel to extend immersion to 11-nm. EETimes, 23. Februar 2010.
14. ↑ Mark LaPedus: IBM sees immersion at 22nm, pushes out EUV. EETimes, 22. Februar 2010.
15. ↑ David Lammers: Intel: EUV Facts Don't Add Up' for 22 nm in 2011. Semiconductor International, 22. Februar 2008.
16. ↑ U. Okoroanyanwu, J. H. Lammers: Resist Road to the 22nm Technology Node. In: Future Fab International. 17, 2004, S. 17.
17. ↑ Christian Wagner: Advanced technology for extending optical lithography. In: Proceedings of SPIE. Santa Clara, CA, USA 2000, S. 344–357, doi:10.1117/12.389046.
18. ↑ Burn J. Lin: Optical Lithography: Here Is Why. SPIE Society of Photo-Optical Instrumentation Engi, 2009, ISBN 0819475602, S. 369.

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