Octafluorcyclobutan

Octafluorcyclobutan
Strukturformel
Struktur von Octafluorcyclobutan
Allgemeines
Name Octafluorocyclobutan (INN)
Andere Namen
  • Peroctafluorcyclobutan
  • RC318
  • Cyclooctafluorbutan
  • Freon C318
Summenformel C4F8
CAS-Nummer 115-25-3
PubChem 8263
Kurzbeschreibung

farbloses Gas mit etherischem Geruch[1]

Eigenschaften
Molare Masse 200 g·mol−1
Aggregatzustand

gasförmig

Dichte
  • 6,9 kg·m−3[1]
  • 1,639 g·cm−3 der flüssigen Phase am Siedepunkt[2]
Schmelzpunkt

−41 °C[1]

Siedepunkt

−6,4 °C[1]

Dampfdruck

269 kPa[1] (20 °C)

Löslichkeit

sehr schlecht in Wasser (140 mg·l−1)[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [2]
04 – Gasflasche

Achtung

H- und P-Sätze H: 280
EUH: keine EUH-Sätze
P: 403 [2]
EU-Gefahrstoffkennzeichnung [1]
keine Gefahrensymbole
R- und S-Sätze R: keine R-Sätze
S: 9-23
GWP

10300 (bezogen auf 100 Jahre) [3]

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche vorhanden

Octafluorcyclobutan ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der organischen Fluorverbindungen.

Inhaltsverzeichnis

Herstellung

Durch volle Fluorierung von Cyclobutan mit elementarem Fluor über radikalische Substitution (für genaueres siehe Trichlormethan) lässt sich dieses Gas herstellen:

\mathrm{C_4H_8 + 8 \ F_2 \longrightarrow\ C_4F_8 + 8 \ HF}

Eigenschaften

Octafluorcyclobutan ist ein farbloses nicht brennbares Gas mit etherischem Geruch, welches geringfügig löslich in Wasser ist. Industriell wird es in Form von Druckgasflaschen geliefert, in denen es in verflüssigter Form vorliegt. Beim Ausströmen der Flüssigkeit oder beim Entweichen großer Gasmengen bilden sich kalte Nebel, die sich am Boden ausbreiten. Bei hohen Konzentrationen besteht Erstickungsgefahr. Seine kritische Temperatur liegt bei 115,32 °C, der kritischer Druck bei 27,8 bar, die kritische Dichte bei 0,62 kg/l, die Tripelpunkt-Temperatur bei -40,2 °C und der Tripelpunkt-Druck bei 0,191 bar.[2]

Verwendung

Octafluorcyclobutan wird in der Halbleitertechnik als Ätz- und Passivierungsgas verwendet (vgl. Deep Reactive Ion Etch).

Einzelnachweise

  1. a b c d e f g Sicherheitsdatenblatt (praxair).
  2. a b c d Eintrag zu CAS-Nr. 115-25-3 in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 29. Mai 2011 (JavaScript erforderlich).
  3. P. Forster, P., V. Ramaswamy et al.: Changes in Atmospheric Constituents and in Radiative Forcing. In: Climate Change 2007: The Physical Science Basis. Contribution of Working Group I to the Fourth Assessment Report of the Intergovernmental Panel on Climate Change. Cambridge University Press, Cambridge und New York 2007, S. 213, (PDF).

Wikimedia Foundation.

Игры ⚽ Нужно сделать НИР?

Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:

  • RC318 — Strukturformel Allgemeines Name Octafluorocyclobutan (INN) …   Deutsch Wikipedia

  • Advanced Silicon Etching — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… …   Deutsch Wikipedia

  • Bosch-Prozess — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… …   Deutsch Wikipedia

  • Boschprozess — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… …   Deutsch Wikipedia

  • Chemikalienliste — Die Chemikalienliste stellt eine alphabetisch sortierte Liste von Chemikalien dar, ohne Anspruch auf Vollständigkeit. Elemente sind fett gekennzeichnet, Stoffgruppen kursiv. Der Haupteintrag zu einer Chemikalie ist gleichzeitig der Name des… …   Deutsch Wikipedia

  • DRIE — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… …   Deutsch Wikipedia

  • Deep Reactive Ion Etching — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… …   Deutsch Wikipedia

  • Liste chemischer Verbindungen — Die Chemikalienliste stellt eine alphabetisch sortierte Liste von Chemikalien dar, ohne Anspruch auf Vollständigkeit. Elemente sind fett gekennzeichnet, Stoffgruppen kursiv. Der Haupteintrag zu einer Chemikalie ist gleichzeitig der Name des… …   Deutsch Wikipedia

  • Liste von chemischen Verbindungen — Die Chemikalienliste stellt eine alphabetisch sortierte Liste von Chemikalien dar, ohne Anspruch auf Vollständigkeit. Elemente sind fett gekennzeichnet, Stoffgruppen kursiv. Der Haupteintrag zu einer Chemikalie ist gleichzeitig der Name des… …   Deutsch Wikipedia

  • Plasma-Ätzen — Plasmaätzen ist ein materialabtragendes, plasmaunterstütztes, gaschemisches Trockenätz Verfahren, das besonders in der Halbleitertechnik, Mikrostrukturtechnologie und in der Displaytechnik großtechnisch eingesetzt wird. Der Begriff Plasmaätzen… …   Deutsch Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”