- Applied Materials
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Applied Materials, Inc. Rechtsform Corporation ISIN US0382221051 Gründung 1967 Sitz Santa Clara (Kalifornien) Leitung James C. Morgan, Vorsitzender
Michael R. Splinter, Präsident, CEO und DirektorMitarbeiter 14.500 (2007) Umsatz 9,735 Mrd. $ (2007) Branche Halbleiterindustrie Website www.appliedmaterials.com Applied Materials, Inc. ist weltgrößter Hersteller und Anbieter von Produkten und Dienstleistungen im Bereich der Halbleiterindustrie mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien im Silicon Valley (USA). Applied Materials wurde 1967 von Michael A. McNeilly und anderen gegründet und ist seit 1972 börsennotiert (NASDAQ:AMAT).
Das Unternehmen beschäftigt weltweit mehr als 14.000 Mitarbeiter und hat 2005 einen Gewinn von etwa 1,2 Milliarden US-Dollar erwirtschaftet; 2006 etwa 1,5 Milliarden US-Dollar.
Applied Materials stellt Fertigungsanlagen für diverse Fertigungsprozesse der Halbleitertechnik her, dazu gehören beispielsweise Anlagen zur Herstellung von dünnen Schichten (z. B. Sputterdepositions-Anlagen). Die Anlagen werden bei der Herstellung von halbleiterbasierten Produkten eingesetzt, dazu zählen unter anderem Integrierte Schaltkreise, Solarzellen/Solarmodule und Organischen Leuchtdioden (OLEDs). Weiterhin bietet das Unternehmen weitere Systeme für die Herstellung dieser Produkte an, beispielsweise Wafer-Transport- und Wafer-Hantierungssysteme, die für die weitgehend automatische Produktion in der Industrie notwendig sind.
Am 7. Juli 2006 hat Applied Materials die Übernahme von Applied Films (Umsatz 2005 etwa 200 Millionen US-Dollar) abgeschlossen, einer Firma, die sich auf die Herstellung von Produktionsanlagen für Flachbildschirme, Solarzellen, OLEDs und beschichteten Kunststoffen spezialisiert hat. Die Kartellbehörde hat einer weiteren Übernahme des Konkurrenten Semitool Inc. (NASDAQ:SMTL) im November 2009 zugestimmt. Die Übernahme wurde Ende Dezember 2009 abgeschlossen.[1]
Einzelnachweise
- ↑ Applied Materials Completes Acquisition of Semitool. In: Business Wire. Applied Materials, 21. Dezember 2009, abgerufen am 4. Januar 2010 (englisch).
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