Indiumantimonid

Kristallstruktur
__ In3+     __ Sb3−
Allgemeines
Name	Indiumantimonid
Verhältnisformel	InSb
CAS-Nummer	1312-41-0
Kurzbeschreibung	silbergrauer, geruchloser Feststoff[1]
Eigenschaften
Molare Masse	236,6 g·mol–1
Aggregatzustand	fest
Dichte	5,75 g·cm–3[1]
Schmelzpunkt	500 °C (Zersetzung)[1]
Löslichkeit	unlöslich in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [1] Achtung H- und P-Sätze H: 302-332 EUH: keine EUH-Sätze P: 261-​273-​301+312-​304+340-​312-​501Vorlage:P-Sätze/Wartung/mehr als 5 Sätze [1] EU-Gefahrstoffkennzeichnung aus RL 67/548/EWG, Anh. I [2] Gesundheits- schädlich Umwelt- gefährlich (Xn) (N) R- und S-Sätze R: 20/22-51/53 S: (2)-61
MAK	0,5 mg·m–3 (Sb). 0,1 mg·m–3 (In) [1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

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Indiumantimonid (InSb) ist eine chemische Verbindung aus Indium (In) und Antimon (Sb). Es zählt zu den III-V-Halbleitern.

Eigenschaften

Indiumantimonid

Undotiertes Indiumantimonid weist bei Raumtemperatur die größte Elektronenbeweglichkeit von 78.000 cm²/(V·s) von allen bekannten Halbleitern auf, wodurch sich auch die (im Vergleich zu anderen Materialien) extrem hohe Hall-Konstante von -2,4·10^-4 m³/C erklärt. Es eignet sich besonders gut zur Herstellung von sehr schnellen elektronischen Schaltern.^[3]

Außerdem wird Indiumantimonid in der Optoelektronik als Werkstoff für Infrarotsensoren benutzt, vor allem bei Wellenlängen von 1000 nm bis 5500 nm.

Halbleiterbauelemente aus Indiumantimonid weisen eine Diffusionsspannung unter 0,5 V auf, was geringere Betriebsspannungen und damit geringere Verlustleistungen als Silizium mit 0,7 V ermöglicht.

Gewinnung und Darstellung

Indiumantimonid bildet sich beim Zusammenschmelzen der beiden hochreinen Elemente:

$\mathrm{In\ +\ Sb \longrightarrow\ InSb}$

Verwendung

Eine Schicht von Indiumantimonid zwischen Aluminiumindiumantimonid kann als Quantentopf dienen. Daraus lassen sich sehr schnell schaltende Transistoren bauen.^[4] Bipolartransistoren lassen sich damit bis zu einer Grenzfrequenz von 85 GHz und Feldeffekttransistoren bis zu 200 GHz betreiben. Die Firmen Intel und QinetiQ entwickeln derzeit zusammen auf Indiumantimonid basierende Feldeffektransistoren, deren Entwicklung derzeit (2010) nicht abgeschlossen ist.

Einzelnachweise

1. ↑ ^{a b c d e f g} Datenblatt Indiumantimonid bei AlfaAesar, abgerufen am 15. Dezember 2010 (JavaScript erforderlich).
2. ↑ Nicht explizit in RL 67/548/EWG, Anh. I gelistet, fällt aber dort mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Sammelbegriff „Antimonverbindungen“; Eintrag in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 31. März 2009 (JavaScript erforderlich)
3. ↑ Rode, D. L.: Electron Transport in InSb, InAs, and InP. In: Physical Review B. 3, 1971, S. 3287. doi:10.1103/PhysRevB.3.3287.
4. ↑ 'Quantum well' transistor promises lean computing